HH18N150J101CT 是一款高性能的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片,广泛应用于高压、大电流场景中。该型号采用先进的制造工艺,具备低导通损耗和开关损耗的特点,适用于工业控制、电机驱动、逆变器等场合。其高可靠性设计使其能够在恶劣环境下长期稳定工作。
该芯片属于 N 沟道增强型器件,具有较低的导通电阻和较高的电压耐受能力。通过优化的封装设计,提高了散热性能和电气性能。
集电极-发射极击穿电压:1500V
连续集电极电流:18A
峰值集电极电流:36A
栅极-发射极阈值电压:4V~6V
导通压降:1.8V
开关时间:ton=200ns,toff=150ns
工作结温范围:-40℃~150℃
HH18N150J101CT 具有以下显著特性:
1. 高电压耐受能力,适合高压应用场景。
2. 低导通压降,减少功率损耗,提高系统效率。
3. 快速开关特性,降低开关损耗,适合高频应用。
4. 内置反并联二极管,能够有效抑制反向电动势。
5. 高可靠性设计,支持长时间运行和恶劣环境下的使用。
6. 小型化封装设计,便于安装与集成。
7. 热性能优异,有助于提升整体系统的散热表现。
HH18N150J101CT 主要应用于以下领域:
1. 工业变频器及逆变器中的功率转换模块。
2. 大功率电机驱动与控制系统。
3. 新能源发电设备,如太阳能逆变器和风力发电系统。
4. 不间断电源(UPS)中的功率调节单元。
5. 电动汽车牵引逆变器及其他车载电力电子系统。
6. 高压直流输电(HVDC)相关设备中的功率开关组件。
7. 各类工业自动化设备中的功率控制部分。
HH18N150J102CT, HH18N150J103CT