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HH18N150J101CT 发布时间 时间:2025/7/1 21:32:02 查看 阅读:9

HH18N150J101CT 是一款高性能的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片,广泛应用于高压、大电流场景中。该型号采用先进的制造工艺,具备低导通损耗和开关损耗的特点,适用于工业控制、电机驱动、逆变器等场合。其高可靠性设计使其能够在恶劣环境下长期稳定工作。
  该芯片属于 N 沟道增强型器件,具有较低的导通电阻和较高的电压耐受能力。通过优化的封装设计,提高了散热性能和电气性能。

参数

集电极-发射极击穿电压:1500V
  连续集电极电流:18A
  峰值集电极电流:36A
  栅极-发射极阈值电压:4V~6V
  导通压降:1.8V
  开关时间:ton=200ns,toff=150ns
  工作结温范围:-40℃~150℃

特性

HH18N150J101CT 具有以下显著特性:
  1. 高电压耐受能力,适合高压应用场景。
  2. 低导通压降,减少功率损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关特性,降低开关损耗,适合高频应用。
  4. 内置反并联二极管,能够有效抑制反向电动势。
  5. 高可靠性设计,支持长时间运行和恶劣环境下的使用。
  6. 小型化封装设计,便于安装与集成。
  7. 热性能优异,有助于提升整体系统的散热表现。

应用

HH18N150J101CT 主要应用于以下领域:
  1. 工业变频器及逆变器中的功率转换模块。
  2. 大功率电机驱动与控制系统。
  3. 新能源发电设备,如太阳能逆变器和风力发电系统。
  4. 不间断电源(UPS)中的功率调节单元。
  5. 电动汽车牵引逆变器及其他车载电力电子系统。
  6. 高压直流输电(HVDC)相关设备中的功率开关组件。
  7. 各类工业自动化设备中的功率控制部分。

替代型号

HH18N150J102CT, HH18N150J103CT

HH18N150J101CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.06279卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容15 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-