时间：2025/7/12 1:38:42
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HH18N122J160CT 是一款基于硅技术的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高电压应用，能够提供低导通电阻和高效率性能。其出色的开关特性和耐用性使其在工业、汽车及消费电子领域中得到广泛应用。
该芯片采用 TO-247 封装形式，具备良好的散热性能，同时支持较高的连续漏极电流。HH18N122J160CT 的典型应用场景包括开关电源、电机驱动、逆变器以及 DC/DC 转换器等。
最大漏源电压：1200V
最大漏极电流：16A
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：150mΩ
总功耗：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
HH18N122J160CT 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：器件的最大漏源电压为 1200V，适用于高压环境下的电路设计。
2. 低导通电阻：其导通电阻仅为 150mΩ，在大电流应用中可有效降低功率损耗。
3. 快速开关性能：得益于优化的内部结构，该 MOSFET 提供了较低的开关损耗和更快的开关速度。
4. 高可靠性：经过严格的测试与筛选，确保其能够在恶劣的工作条件下长期稳定运行。
5. 宽工作温度范围：支持从 -55°C 到 +175°C 的宽温区操作，适合各类极端环境应用。
6. 抗雪崩能力：具备较强的抗雪崩能力，可承受瞬态过载条件下的能量冲击。
HH18N122J160CT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管使用。
2. 电机驱动：控制直流无刷电机或其他类型电机的运行状态。
3. 逆变器：构建太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等设备中的功率转换模块。
4. DC/DC 转换器：实现高效稳定的直流电压变换功能。
5. 工业自动化：如工业机器人、数控机床等领域中的功率控制单元。
6. 汽车电子：包括电动车辆的牵引逆变器和辅助电源系统。
IRFP260N, STP16NK120Z
