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HH18N122J160CT 发布时间 时间:2025/7/12 1:38:42 查看 阅读:17

HH18N122J160CT 是一款基于硅技术的高压 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高电压应用,能够提供低导通电阻和高效率性能。其出色的开关特性和耐用性使其在工业、汽车及消费电子领域中得到广泛应用。
  该芯片采用 TO-247 封装形式,具备良好的散热性能,同时支持较高的连续漏极电流。HH18N122J160CT 的典型应用场景包括开关电源、电机驱动、逆变器以及 DC/DC 转换器等。

参数

最大漏源电压:1200V
  最大漏极电流:16A
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):150mΩ
  总功耗:300W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

HH18N122J160CT 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:器件的最大漏源电压为 1200V,适用于高压环境下的电路设计。
  2. 低导通电阻:其导通电阻仅为 150mΩ,在大电流应用中可有效降低功率损耗。
  3. 快速开关性能:得益于优化的内部结构,该 MOSFET 提供了较低的开关损耗和更快的开关速度。
  4. 高可靠性:经过严格的测试与筛选,确保其能够在恶劣的工作条件下长期稳定运行。
  5. 宽工作温度范围:支持从 -55°C 到 +175°C 的宽温区操作,适合各类极端环境应用。
  6. 抗雪崩能力:具备较强的抗雪崩能力,可承受瞬态过载条件下的能量冲击。

应用

HH18N122J160CT 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管使用。
  2. 电机驱动:控制直流无刷电机或其他类型电机的运行状态。
  3. 逆变器:构建太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等设备中的功率转换模块。
  4. DC/DC 转换器:实现高效稳定的直流电压变换功能。
  5. 工业自动化:如工业机器人、数控机床等领域中的功率控制单元。
  6. 汽车电子:包括电动车辆的牵引逆变器和辅助电源系统。

替代型号

IRFP260N, STP16NK120Z

HH18N122J160CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.09788卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"(0.95mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-