HH18N122J160CT 是一款基于硅技术的高压 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高电压应用,能够提供低导通电阻和高效率性能。其出色的开关特性和耐用性使其在工业、汽车及消费电子领域中得到广泛应用。
该芯片采用 TO-247 封装形式,具备良好的散热性能,同时支持较高的连续漏极电流。HH18N122J160CT 的典型应用场景包括开关电源、电机驱动、逆变器以及 DC/DC 转换器等。
最大漏源电压:1200V
最大漏极电流:16A
栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):150mΩ
总功耗:300W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
HH18N122J160CT 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:器件的最大漏源电压为 1200V,适用于高压环境下的电路设计。
2. 低导通电阻:其导通电阻仅为 150mΩ,在大电流应用中可有效降低功率损耗。
3. 快速开关性能:得益于优化的内部结构,该 MOSFET 提供了较低的开关损耗和更快的开关速度。
4. 高可靠性:经过严格的测试与筛选,确保其能够在恶劣的工作条件下长期稳定运行。
5. 宽工作温度范围:支持从 -55°C 到 +175°C 的宽温区操作,适合各类极端环境应用。
6. 抗雪崩能力:具备较强的抗雪崩能力,可承受瞬态过载条件下的能量冲击。
HH18N122J160CT 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管使用。
2. 电机驱动:控制直流无刷电机或其他类型电机的运行状态。
3. 逆变器:构建太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等设备中的功率转换模块。
4. DC/DC 转换器:实现高效稳定的直流电压变换功能。
5. 工业自动化:如工业机器人、数控机床等领域中的功率控制单元。
6. 汽车电子:包括电动车辆的牵引逆变器和辅助电源系统。
IRFP260N, STP16NK120Z