时间：2025/12/27 8:12:26
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15NM60-U2是一款高压功率MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他高电压功率转换应用。该器件采用先进的平面栅极技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点。其名称中的“15N”表示其为N沟道MOSFET，额定电流约为15A；“M60”表明其漏源击穿电压为600V，适用于中高功率的离线式电源系统。该器件通常封装在TO-220或TO-220F等标准功率封装中，具备良好的散热性能和机械可靠性，适合工业级应用环境。
15NM60-U2的设计重点在于优化开关损耗与导通损耗之间的平衡，使其在高频开关条件下仍能保持较高的效率。此外，该器件内置了快速恢复体二极管，可在感性负载切换时提供反向电流通路，减少电压尖峰和电磁干扰（EMI）。由于其高耐压特性，常用于AC-DC转换器的一次侧开关电路，例如在反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中作为主开关管使用。
型号：15NM60-U2
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：15A
脉冲漏极电流（Idm）：60A
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.22Ω（最大值0.27Ω）
阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：典型值1100pF
输出电容（Coss）：典型值470pF
反向恢复时间（trr）：典型值45ns
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220/TO-220F
15NM60-U2具备优异的电气特性和热稳定性，能够在高电压环境下实现高效能量转换。其最大漏源电压达到600V，确保在市电整流后的高压直流母线上稳定运行，适用于全球范围内的交流输入电压（85V~265V AC）。该器件的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率，尤其在重载条件下表现突出。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容使得驱动电路设计更为简单，减少了驱动损耗，并支持更高的开关频率操作，有助于减小外围无源元件（如变压器、电感和电容）的体积，从而实现电源系统的紧凑化设计。
该MOSFET采用坚固的平面工艺制造，具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持可靠工作，提升了系统的鲁棒性。其快速的开关响应特性有效减少了开关过渡时间，进而降低开关损耗，但同时也要求PCB布局中注意控制寄生电感，避免产生过高的电压振铃。内置的体二极管经过优化，具有较短的反向恢复时间（trr），可减少反向恢复电流尖峰，降低EMI风险，并防止因反向恢复引起的交叉导通问题。此外，TO-220封装提供了良好的热传导路径，可通过外接散热片将热量有效散发，确保长时间高负荷运行下的结温处于安全范围内。器件符合RoHS环保标准，适用于工业电源、照明电源、家电电源等多种应用场景。
15NM60-U2广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要将交流市电转换为直流电压的AC-DC变换器中作为主开关器件使用。典型应用包括反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构的电源适配器、充电器、LED驱动电源以及小型逆变电源。在这些系统中，15NM60-U2负责周期性地接通和断开高压直流母线，通过变压器实现能量传递和电压变换。由于其600V的高耐压能力，能够兼容宽范围输入电压（如90V~264V AC），非常适合用于全球通用输入的电源产品。
此外，该器件也常见于工业控制设备中的DC-DC转换模块，用于隔离型或非隔离型降压/升压电路，提供稳定的中间母线电压。在电机驱动领域，15NM60-U2可用于单相感应电机或步进电机的驱动桥臂，特别是在低功率变频器或风扇控制电路中发挥开关作用。其高效率和高可靠性也使其成为太阳能微逆变器、智能电表电源模块等绿色能源和智能电网设备的理想选择。在消费类电子产品中，如电视、显示器、音响功放的待机电源（Standby Power Supply）中也有广泛应用。得益于其良好的热性能和成熟的封装技术，15NM60-U2能够在恶劣的电磁和温度环境中长期稳定运行，满足工业级和商业级产品的严苛要求。
FQA15N60C
STP15NK60ZFP
K2163
IRFBC40
