时间：2025/6/21 2:59:54
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HH18N122F160CT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率控制的场景中。它具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频条件下实现高效的功率转换。
型号：HH18N122F160CT
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：160A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：300W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
HH18N122F160CT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 4.5mΩ，可显著降低传导损耗。
2. 支持高达 160A 的连续漏极电流，适合大功率应用。
3. 快速开关性能，具备低栅极电荷和输出电荷，有助于减少开关损耗。
4. 高耐压能力，最大漏源电压为 120V，适用于多种高压应用场景。
5. 宽工作温度范围，从 -55℃ 至 +175℃，适应极端环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 采用 TO-247-3 封装，便于散热和安装。
HH18N122F160CT 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。
2. 电机驱动器和逆变器模块。
3. DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
6. 各种需要高效功率转换和控制的应用场景。
IRFP2907ZPBF, CSD19536KCS, FDP17N120C
