时间：2025/8/25 7:11:27
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HGTP10N50E1是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高电压、高电流N沟道功率MOSFET。该器件专为开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和高电压功率管理应用而设计。HGTP10N50E1具备优良的导通电阻与开关损耗平衡，使其在高频率开关操作中表现出色。该MOSFET采用TO-247封装，便于散热并适用于高功率应用场景。
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：0.52Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
最大功耗(Pd)：200W
HGTP10N50E1具备多项优良特性，适用于高功率和高效率设计。首先，其漏源电压额定值为500V，能够承受较高的电压应力，适合用于高电压电源转换器和功率因数校正（PFC）电路。其次，该MOSFET的导通电阻较低，约为0.52Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
此外，HGTP10N50E1的栅极电荷（Qg）较低，使得其在高频开关应用中具有更快的开关速度，从而减少开关损耗。这使得它非常适合用于开关电源（如AC-DC电源、DC-DC转换器）和高频逆变器中。
该器件采用先进的平面工艺制造，具备良好的热稳定性和高可靠性。TO-247封装提供了良好的散热性能，能够有效地将热量传导至散热片，从而确保器件在高负载条件下的稳定运行。
另外，HGTP10N50E1具有良好的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过电压，增强器件在严苛工作环境下的可靠性。
HGTP10N50E1广泛应用于各类高功率电子设备中。其主要应用包括开关电源（SMPS）、离线式AC-DC电源、DC-DC转换器、电机驱动器和功率因数校正（PFC）电路。由于其高耐压和良好的导通性能，它也适用于工业自动化控制系统、不间断电源（UPS）、照明镇流器以及太阳能逆变器等应用。
在开关电源领域，HGTP10N50E1常用于初级侧开关，能够高效地将输入的交流电压转换为所需的直流电压。在PFC电路中，该MOSFET可以用于提升电源的功率因数，减少谐波失真，满足国际能效标准。在电机控制和驱动器应用中，该器件可用于高频PWM控制，实现精确的速度和转矩调节。
此外，由于其高可靠性和良好的热性能，HGTP10N50E1也常用于需要长时间稳定运行的工业和通信设备中。
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"FQA10N50C",
"IRFHV10N50A",
"STP10NK50ZFP",
"SiHP0540EDS"
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