您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HH18N101G500CT

HH18N101G500CT 发布时间 时间:2025/6/22 14:28:02 查看 阅读:18

HH18N101G500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,在保证高效率的同时具备出色的热性能和可靠性。
  其设计优化了导通电阻与开关速度之间的平衡,适合高频应用环境。

参数

型号:HH18N101G500CT
  类型:N沟道MOSFET
  VDS(漏源电压):100V
  RDS(on)(导通电阻):45mΩ(典型值,25℃)
  ID(连续漏电流):18A
  Qg(总栅极电荷):65nC
  fT(特征频率):3.9MHz
  VGS(th)(阈值电压):2.5V~4.5V
  EAS(雪崩能量):450mJ
  封装形式:TO-247

特性

HH18N101G500CT 具备以下特点:
  1. 高效的导通性能,低导通电阻可显著降低传导损耗。
  2. 出色的开关速度,能够满足高频开关应用需求。
  3. 强大的雪崩能力,提升了器件在异常情况下的耐受性。
  4. 良好的热稳定性,能够在较宽温度范围内稳定工作。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
  6. 内置 ESD 保护功能,增强了芯片的抗静电能力。

应用

该芯片适用于以下场景:
  1. 开关电源中的主开关管。
  2. 电机驱动电路中的功率级元件。
  3. 各类负载开关及保护电路。
  4. 工业控制领域中的功率转换模块。
  5. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
  6. 高频 DC/DC 变换器以及 LED 驱动电路。

替代型号

IRFZ44N
  FDP18N10
  STP18NF10L

HH18N101G500CT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

HH18N101G500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.07572卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容100 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-