HH18N101G500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,在保证高效率的同时具备出色的热性能和可靠性。
其设计优化了导通电阻与开关速度之间的平衡,适合高频应用环境。
型号:HH18N101G500CT
类型:N沟道MOSFET
VDS(漏源电压):100V
RDS(on)(导通电阻):45mΩ(典型值,25℃)
ID(连续漏电流):18A
Qg(总栅极电荷):65nC
fT(特征频率):3.9MHz
VGS(th)(阈值电压):2.5V~4.5V
EAS(雪崩能量):450mJ
封装形式:TO-247
HH18N101G500CT 具备以下特点:
1. 高效的导通性能,低导通电阻可显著降低传导损耗。
2. 出色的开关速度,能够满足高频开关应用需求。
3. 强大的雪崩能力,提升了器件在异常情况下的耐受性。
4. 良好的热稳定性,能够在较宽温度范围内稳定工作。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
6. 内置 ESD 保护功能,增强了芯片的抗静电能力。
该芯片适用于以下场景:
1. 开关电源中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 各类负载开关及保护电路。
4. 工业控制领域中的功率转换模块。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
6. 高频 DC/DC 变换器以及 LED 驱动电路。
IRFZ44N
FDP18N10
STP18NF10L