时间：2025/11/6 1:15:51
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HH18N100J500CT是一款高压、大电流的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他高效率功率转换系统中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺技术制造，具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，能够在高电压环境下实现低功耗和高可靠性运行。其额定电压为1000V，连续漏极电流可达18A（在25°C条件下），适合于需要承受瞬态高压和持续大电流的应用场景。封装形式通常为TO-247或类似的大功率封装，具有良好的热传导性能，能够有效将芯片内部产生的热量传递至散热器，从而提升整体系统的稳定性与寿命。该型号由多家半导体制造商生产，具体参数可能因厂商而异，但基本电气特性保持一致。由于其高耐压能力和较强的负载驱动能力，HH18N100J500CT常被用于工业控制、新能源发电（如光伏逆变器）、UPS不间断电源以及感应加热设备等高端电力电子领域。
型号：HH18N100J500CT
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源击穿电压（BVDSS）：1000V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：18A
脉冲漏极电流（IDM）：72A
栅源电压（VGSS）：±30V
导通电阻（RDS(on) max @ VGS=10V, ID=9A）：1.0Ω
阈值电压（VGS(th) typ）：5.0V
输入电容（Ciss typ）：2800pF
输出电容（Coss typ）：120pF
反向恢复时间（trr）：< 100ns
最大功耗（PD）：300W
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
HH18N100J500CT具备优异的高压阻断能力与低导通损耗特性，使其在高电压应用中表现出色。其1000V的漏源击穿电压确保了在面对电网波动或感性负载关断时产生的电压尖峰时仍能稳定工作，避免因过压导致的器件损坏。同时，该MOSFET采用了优化的元胞设计和场板结构，有效降低了单位面积上的电场集中效应，提升了器件的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。
该器件的导通电阻典型值在高温下仍保持较低水平，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统整体效率。特别是在高频开关应用中，低RDS(on)与合理的栅极电荷（Qg）之间的平衡使得驱动电路设计更加简便且高效。此外，其输入电容和反向传输电容较小，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并减小电磁干扰（EMI）的影响。
热稳定性方面，TO-247封装提供了优良的热阻特性，允许器件在高功率密度环境下长时间运行。内部键合工艺采用高可靠性的铜线或铝线连接，提升了抗热疲劳能力，适用于频繁启停或温度循环剧烈的工作条件。器件还具备良好的体二极管反向恢复特性，虽然不如专用快速恢复二极管，但在某些非硬开关拓扑中仍可满足基本需求。
此外，HH18N100J500CT符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造标准。其广泛的工作温度范围（-55°C ~ +150°C）使其可在极端环境条件下使用，例如户外通信电源、轨道交通控制系统及高温工业设备中均能可靠运行。
HH18N100J500CT主要应用于需要高电压隔离与大电流切换能力的电力电子系统中。典型应用场景包括高压DC-DC变换器，在这类系统中，它作为主开关元件用于升压或降压拓扑结构，实现高效的能量转换。在光伏逆变器中，该器件可用于直流侧的斩波电路或辅助电源模块，承担能量调节与故障保护功能。
在不间断电源（UPS）系统中，HH18N100J500CT常用于逆变级的功率级开关，配合IGBT或其他MOSFET构成全桥或半桥结构，将蓄电池的直流电转换为稳定的交流输出。由于其高耐压特性，特别适合在线式UPS中应对市电异常时的高压冲击。
该器件也广泛用于感应加热设备，如电磁炉、金属熔炼装置等，其中高频振荡电路依赖其快速开关能力来产生交变磁场。在电机驱动领域，尤其是高压风机、水泵或电动工具的控制器中，该MOSFET可作为相位切换开关，提供精确的电流控制。
此外，它还可用于高压照明电源（如HID灯镇流器）、X射线发生器的高压调制电路以及工业电焊机中的功率调制单元。在这些应用中，器件不仅需承受高电压，还需具备良好的动态响应能力和长期运行的可靠性。得益于其坚固的封装和稳定的电气性能，HH18N100J500CT成为众多工业级电源设计中的优选方案之一。
ST18N100K5, FQA18N100J, 2SK3564, IRFGB40N100DG
