时间：2025/5/29 8:32:30
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K4S511632B-TC75 是一款由三星（Samsung）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于同步动态随机存取存储器（SDRAM）类别。该芯片主要应用于需要高速数据传输和较大存储容量的设备中，如计算机主板、网络设备、工业控制系统等。其设计符合JEDEC标准，支持多种时钟频率下的稳定运行。
这款芯片采用了先进的制程工艺，确保了低功耗与高性能之间的平衡。它具有高可靠性、低延迟的特点，适合用于对性能要求较高的应用场景。
容量：16Mb（2M x 8位）
类型：SDRAM
工作电压：3.3V
封装形式：TSOP-II（薄型小外形封装）
引脚数：46
组织结构：2M x 8位
存取时间：7.5ns
工作频率：最高133MHz
接口类型：同步接口
数据宽度：8位
刷新周期：最长8192us
K4S511632B-TC75 提供了以下显著特性：
1. 高速性能：支持高达133MHz的工作频率，能够满足大多数现代应用的需求。
2. 稳定性：采用先进的制造技术，保证在各种环境下都能保持稳定的运行状态。
3. 节能设计：在提供高性能的同时，有效控制功耗，适用于对能耗敏感的应用场景。
4. 易用性：兼容JEDEC标准，简化了设计过程中的集成难度。
5. 多功能用途：广泛适用于台式机、服务器、路由器等多种硬件平台。
该芯片主要用于需要高效内存管理的设备中，包括但不限于：
1. 计算机主板上的缓存模块。
2. 网络设备中的数据缓冲区。
3. 工业控制系统的内存扩展。
4. 嵌入式系统中的临时数据存储。
由于其出色的性能和可靠性，K4S511632B-TC75 成为许多高性能计算环境的理想选择。
K4S511632C-TC75
K4S511632D-TC75
MT48LC16M4A2
HY5DU283222G-T
