时间：2025/7/1 21:30:39
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HH18N100G101CT 是一款基于硅技术制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特性，适用于多种高频开关应用。其封装形式为 TO-247，适合需要高效散热的应用场景。
该型号的设计使其能够在高压条件下工作，并且保持较低的功耗，同时提供出色的电流处理能力。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：18A
导通电阻：6.5mΩ（典型值）
栅极电荷：9nC（典型值）
总功耗：213W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
HH18N100G101CT 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力，能够承受高达 100V 的漏源电压，适合工业级和汽车级应用。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低导通损耗，提高整体效率。
3. 快速开关性能，具备较小的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
4. 增强型设计，只有在施加正向栅极电压时才导通，确保安全操作。
5. 使用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，适应高功率需求场景。
6. 广泛的工作温度范围，支持从低温到高温的多样化环境应用。
HH18N100G101CT 被广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 新能源系统，如太阳能逆变器和电池管理系统 (BMS) 中的功率管理。
5. 汽车电子中的各类高压开关应用，例如电动车控制器或车载充电器。
6. 照明系统的镇流器和调光控制电路。
IRFP250N, STP18NF10L
