时间：2025/6/29 15:49:05
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SDP137TMD 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP（薄型小外形封装）设计，适用于高密度和高效能电源管理应用。该器件具备低导通电阻、高电流承载能力和快速开关性能，广泛应用于笔记本电脑、移动设备和电池供电系统等领域。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：-30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id（@25°C）：-4.9A
导通电阻 Rds(on)：约 46mΩ @ Vgs = -10V, 约 68mΩ @ Vgs = -4.5V
功耗（Pd）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TSSOP
SDP137TMD 的主要特点之一是其低导通电阻，这使得在高电流负载下能够有效降低功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，它具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持从 -4.5V 到 -10V 的工作电压，使其能够兼容多种驱动电路设计。由于其快速的开关速度和较低的输入电容，SDP137TMD 可以在高频开关条件下保持稳定的性能表现。
封装方面，TSSOP 封装不仅节省空间，还提供了良好的电气性能和散热能力，非常适合用于紧凑型便携设备中的电源管理和负载切换应用。
可靠性方面，SDP137TMD 经过了严格的测试，符合 RoHS 标准，并具备较高的抗静电能力，确保了在各种应用环境下的稳定性和耐用性。
SDP137TMD 主要用于需要高效率和高性能的电源管理系统中。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的 DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路以及电机控制模块。
此外，它也适用于工业控制系统、电信设备和消费类电子产品中的电源管理需求。例如，在 USB 电源管理中，SDP137TMD 可作为主控开关，实现对输出电流的精确控制与过载保护功能。
由于其优异的开关特性和低功耗设计，该器件还可用于同步整流、马达驱动及 LED 驱动电路中，帮助提升系统的整体效率并延长电池续航时间。
Si4435BDY-T1-E3, IRML6401TRPBF, AO4406A
