时间：2025/7/18 11:29:29
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HH18N0R6D500CT是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换和电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺，能够提供较低的导通电阻和较高的开关速度，从而有效降低功耗并提升系统效率。
HH18N0R6D500CT属于N沟道增强型MOSFET，具有出色的耐热性能和可靠的电气特性，适合高电流和高频应用环境。
型号：HH18N0R6D500CT
类型：N沟道MOSFET
额定电压：650V
额定电流：18A
导通电阻：45mΩ（最大值，典型值为40mΩ）
栅极电荷：37nC（典型值）
总功耗：250W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
HH18N0R6D500CT的主要特性包括：
1. 高耐压能力，额定电压达650V，适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（典型值为40mΩ），可以显著降低导通损耗。
3. 较小的栅极电荷，有助于实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
4. 支持宽范围的工作温度，能够在极端环境下保持稳定运行。
5. 使用TO-247封装，具备良好的散热性能和机械强度。
6. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，进一步提升了器件的可靠性。
HH18N0R6D500CT适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，包括AC-DC转换器和DC-DC转换器。
2. 逆变器和变频器中的功率模块。
3. 工业自动化设备中的电机控制。
4. 太阳能光伏逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 电动车和混合动力车的电池管理系统（BMS）以及驱动电路。
6. 各种需要高效功率转换的应用场景。
IRFP460, STP18NF50, FDP18N50C
