时间：2025/7/9 19:55:34
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HH15N6R8B500CT 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，专为高效率和高可靠性应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在开关电源、电机驱动、逆变器等领域表现出色。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效能电力电子系统中的理想选择。
HH15N6R8B500CT 的封装形式为 TO-247，适合高功率密度设计需求。此外，它还具备良好的热性能和电气稳定性，确保在极端条件下的可靠运行。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：6.8mΩ
栅极电荷：30nC
开关时间（开通/关断）：75ns/90ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
HH15N6R8B500CT 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，非常适合高频应用。
3. 高额定电压和电流能力，可承受严苛的工作环境。
4. 内置雪崩能量保护功能，增强器件的鲁棒性。
5. 热阻较低，提升散热性能，延长使用寿命。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该器件广泛应用于多种工业和消费类电子产品中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 工业控制设备和自动化系统的功率管理部分。
5. 电动汽车充电站及电池管理系统中的功率模块。
HH15N6R8B500CT 凭借其出色的性能指标，成为这些领域中关键组件的理想选择。
IRFP260N, STW17N50, FDP15N50S
