时间：2025/5/20 19:20:25
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HH15N4R7B500CT是一款高压、高速开关的功率MOSFET，采用N沟道增强型设计。该芯片主要应用于高电压和大电流场景，例如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及各种工业控制领域。其出色的开关特性和较低的导通电阻使其成为高效能功率转换的理想选择。
HH15N4R7B500CT通过优化的半导体工艺技术制造，具有良好的稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：3.2Ω
栅极电荷：16nC
总电容：110pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
封装形式：TO-220
HH15N4R7B500CT具有高击穿电压和低导通电阻的特点，能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。此外，该器件还具备以下显著特性：
1. 高速开关能力：由于其较低的栅极电荷和总电容，使得开关速度更快，从而减少开关损耗。
2. 热稳定性强：在高温环境下依然可以保持稳定的电气性能，适合工业级应用。
3. 抗雪崩能力：内置雪崩能量保护功能，提高了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小型化封装：采用标准的TO-220封装，便于安装和散热设计。
5. 宽工作温度范围：支持从低温到高温的极端环境，增强了应用的适应性。
HH15N4R7B500CT广泛应用于需要高电压、大电流处理能力的场景中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC或DC-DC转换器中的主开关管。
2. 电机驱动：用于控制直流无刷电机或其他类型电机的运行状态。
3. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）、逆变焊机等。
4. 能量存储系统：用作电池管理系统中的功率开关。
5. LED驱动器：为大功率LED照明提供高效的驱动解决方案。
总之，这款功率MOSFET凭借其卓越的性能表现，在众多电力电子设备中发挥着关键作用。
IRFP460, STP75NF06L, FQP17N60C
