HH15N2R7B500CT 是一款高性能的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业和电力电子领域。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗特性和双极性晶体管的强大电流处理能力,使其在开关速度、效率以及耐用性方面表现优异。HH15N2R7B500CT 特别适用于高频逆变器、不间断电源 (UPS)、电机驱动器等场景。
该型号采用先进的封装技术,确保其在高温环境下依然保持稳定性能,并且支持大功率应用需求。
额定电压:1200V
额定电流:50A
集电极-发射极饱和电压:≤2.2V
门极阈值电压:8~16V
开关频率:高达 20kHz
工作温度范围:-40℃~150℃
热阻:1.2°C/W
存储结温:-55°C~150°C
HH15N2R7B500CT 具备低导通损耗和开关损耗的特点,能够显著提升系统效率。它采用了场截止(Field Stop)技术以降低关断损耗,并通过优化芯片设计提高了散热性能。
此外,该器件具有短路保护功能,在过载情况下可以有效防止损坏。其封装形式坚固耐用,适合表面贴装工艺,从而简化了生产流程并降低了制造成本。
与传统的功率半导体相比,HH15N2R7B500CT 提供更高的可靠性和更长的使用寿命,同时减少了电磁干扰问题,非常适合现代高效能设备的需求。
HH15N2R7B500CT 广泛应用于各种工业控制及电力转换领域,包括但不限于以下场景:
1. 高频逆变器
2. 不间断电源 (UPS)
3. 交流伺服驱动
4. 太阳能光伏逆变器
5. 电动汽车牵引逆变器
6. 焊接设备
7. 各种中高压变频器
由于其出色的电气性能和环境适应能力,HH15N2R7B500CT 成为众多高要求应用场景的理想选择。
FF50R12W1T3
FGH50TR12MD
HGT50N120SP1