时间：2025/6/25 23:55:03
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HH15N2R2C500CT是一种高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率、高频开关电源和电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，能够满足现代电力电子设备对效率和可靠性的严格要求。
HH15N2R2C500CT属于N沟道增强型MOSFET，其设计优化了在高电流条件下的表现，并通过降低开关损耗提高了整体系统效率。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻：2.2mΩ
栅极电荷：48nC
开关时间：ton=97ns, toff=36ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 高额定电压（500V），适用于高压应用场景。
3. 快速开关特性，适合高频操作。
4. 出色的热稳定性和鲁棒性，能够在极端温度条件下可靠工作。
5. 小尺寸封装，便于电路板布局和安装。
6. 内置ESD保护功能，增强抗静电能力。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化设备
6. 电动工具及家电产品中的功率管理模块
IRFP460, STP15NM50, FDP18N50
