时间：2025/7/19 5:57:55
阅读：3
25121WJ0202T4E是一款由Electronic Arrays公司生产的256K位（32K x 8）静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用高速CMOS技术制造，具有低功耗、高性能和高可靠性的特点，适用于需要高速数据访问和低功耗运行的各种应用场合。该器件采用55ns的访问时间，能够在高速系统中提供稳定的数据读写能力。
容量：256K位（32K x 8）
访问时间：55ns
电源电压：5V
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装类型：32引脚TSOP
封装尺寸：12mm x 20mm
数据保持电压：最小2V
最大工作电流：约120mA（典型值）
待机电流：最大10mA
25121WJ0202T4E SRAM芯片采用先进的CMOS技术，具有出色的性能和能效。其55ns的访问时间使其适用于需要快速数据访问的系统，如网络设备、工业控制器和嵌入式系统。该芯片支持5V单电源供电，简化了电源设计并提高了系统兼容性。此外，该芯片具有低待机电流特性，有助于在低功耗模式下节省电能，提高系统能效。
该器件的工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣环境中稳定运行。32引脚TSOP封装设计节省了PCB空间，并提高了机械稳定性和可靠性，适用于高密度电路板设计。该SRAM还支持数据保持电压低至2V，允许在系统掉电时保持数据完整性，适合用于需要数据保持功能的应用场景。
25121WJ0202T4E SRAM芯片广泛应用于通信设备、工业控制系统、嵌入式系统、测试仪器和数据采集设备等需要高速、低功耗存储解决方案的领域。其高可靠性和宽温度范围特性使其特别适合工业和通信设备中用于缓存和临时数据存储。
25121WJ0202T4E的替代型号包括CY62148EVLL和IS61LV25616AL，这些型号在功能和性能上相近，但在封装或电气特性上可能略有不同，使用时需注意数据手册中的详细规格。
