GMC04CG680J50NT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于沟道增强型场效应晶体管系列。它主要用于需要高效率和低导通损耗的应用场合。这款芯片采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等领域。
该型号的设计优化了热性能和电气性能,确保在高功率密度应用中表现出色。同时,它还具备良好的静电防护能力,从而提高了器件的可靠性。
最大漏源电压:680V
连续漏极电流:4.8A
导通电阻:0.5Ω
栅极电荷:35nC
开关频率:100kHz~500kHz
工作温度范围:-55℃~175℃
1. 高耐压能力,支持高达680V的工作电压,适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻设计,有效降低功耗并提高系统效率。
3. 快速开关特性,能够满足高频应用需求,减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围,从低温到高温均能保持稳定运行。
5. 内置保护机制,增强器件的可靠性和抗干扰能力。
6. 紧凑型封装设计,有助于节省电路板空间。
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
2. 工业设备中的电机驱动控制。
3. 电动汽车和混合动力汽车中的逆变器模块。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率管理。
5. LED照明驱动电路中的高效开关元件。
6. 其他需要高效率和高可靠性功率开关的应用场景。
GMC04CG650J50NT, IRF840, STP12NM60S