HH15N270J250CT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效率和低导通电阻的应用场合。该器件采用了先进的制造工艺,在保证高可靠性的前提下,实现了较低的导通损耗和开关损耗。
HH15N270J250CT 的最大特点是其能够承受较高的漏源电压(Vds),同时具有较低的导通电阻(Rds(on))。这使得它非常适合在高电压和大电流环境下使用。
最大漏源电压:270V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:15A
导通电阻:0.25Ω
总功耗:30W
工作温度范围:-55℃ to +150℃
1. 高耐压能力,适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低功耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度,减少开关损耗,适合高频应用。
4. 内置保护机制,提供更高的可靠性和安全性。
5. 小型封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. 用于直流电机驱动电路的功率开关。
3. 在光伏逆变器中作为功率转换的关键元件。
4. 工业自动化设备中的负载控制。
5. 各种高压、高频电子电路中的功率级元件。
IRFZ44N, FQP16N20C