类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　连续漏极电流（ID）：7A（Tc=25°C时）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：45nC
　　漏源击穿电压（BVDSS）：600V

HGTP7N60C3D采用先进的高压工艺制造，具有出色的导通性能和开关性能。其导通电阻（RDS(on)）较低，通常为1.2Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有快速的开关速度，能够在高频开关应用中保持高效能，同时减少开关损耗。
　　该MOSFET的封装形式为TO-220，具备良好的散热能力，能够在高功率环境下保持稳定运行。TO-220封装也便于安装在散热器上，以提高热管理能力。
　　HGTP7N60C3D具有较高的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣的电气环境中工作。其栅极电荷（Qg）为45nC，保证了快速开关的同时不会造成过高的驱动损耗。此外，该器件的栅源电压范围为±30V，提供了良好的栅极驱动兼容性，适用于多种控制电路。
　　该MOSFET的内部结构优化，具有较低的寄生电容，有助于减少高频应用中的开关损耗。其漏源击穿电压（BVDSS）为600V，确保在高压环境下能够可靠工作。此外，该器件的脉冲漏极电流可达28A，使其能够在短时间高负载条件下正常运行。

HGTP7N60C3D广泛应用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、逆变器以及工业控制系统。由于其高耐压和高电流能力，它特别适用于需要高效能和高可靠性的电源管理场合。
　　在开关电源设计中，该MOSFET可作为主开关元件，用于实现高效的能量转换。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电源效率，同时减少发热。在电机控制应用中，HGTP7N60C3D可用于H桥电路或PWM控制电路，实现对电机的精确控制。
　　该器件还常用于太阳能逆变器、LED照明电源、电动工具以及工业自动化设备中。由于其高稳定性和耐久性，它也适用于恶劣环境中的长期运行。

STP7NK60Z, IRF740, FQP7N60C, FDPF7N60FS