MMBT3904M 8K/R是一款NPN型晶体管,广泛应用于各种电子设备中。这款晶体管由ON Semiconductor制造,具有高增益和低饱和电压的特点,使其非常适合用于开关和放大应用。MMBT3904M 8K/R采用SOT-23封装,适合表面贴装技术(SMT)。
晶体管类型:NPN
封装类型:SOT-23
最大集电极电流:100 mA
最大集电极-发射极电压:40 V
最大基极-发射极电压:6 V
最大功耗:200 mW
最大工作温度:150°C
最小储存温度:-55°C
增益带宽积:250 MHz
直流电流增益:100-300
MMBT3904M 8K/R晶体管具有多个显著特性,使其在各种电子应用中表现出色。首先,它的高增益特性使其非常适合用于信号放大,能够有效地放大弱信号,确保信号的清晰度和强度。其次,该晶体管的低饱和电压有助于降低功耗,提高能效,这在电池供电设备中尤为重要。
该晶体管的最大集电极电流为100 mA,能够处理相对较高的电流,适用于多种开关应用。其最大集电极-发射极电压为40 V,允许在较高的电压下工作,增加了其应用范围。此外,MMBT3904M 8K/R的封装为SOT-23,体积小巧,适合表面贴装技术,便于在现代电子产品中使用。
该晶体管的工作温度范围宽,最高可达150°C,最低储存温度为-55°C,这使其能够在各种环境条件下稳定工作。此外,该晶体管的增益带宽积为250 MHz,适合用于高频应用,确保信号的快速响应和处理。
MMBT3904M 8K/R晶体管广泛应用于多个领域,包括消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等。在消费电子产品中,它可以用于音频放大器、开关电路和电源管理。在工业控制中,MMBT3904M 8K/R可以用于传感器信号放大和电机控制。在通信设备中,该晶体管可用于射频(RF)放大和信号处理。在汽车电子中,它可以用于车身控制模块、照明系统和车载娱乐系统等。
由于其高增益和低饱和电压的特性,MMBT3904M 8K/R也常用于数字电路中的开关元件。在需要快速开关操作的应用中,如脉宽调制(PWM)控制器和数字逻辑电路,该晶体管能够提供可靠的性能。此外,其高频特性使其适用于射频识别(RFID)设备和无线通信模块。
BC847, 2N3904