时间：2025/12/29 15:14:34
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HGTP15N120C3是一款由ON Semiconductor生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场合。该器件采用先进的沟道技术，提供了优异的导通性能和开关特性，适合用于电源管理、电机控制、照明系统以及工业自动化等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：15A
漏极-源极击穿电压（VDS）：1200V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
HGTP15N120C3功率MOSFET具有低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其高耐压能力（1200V）使其适用于高电压环境，如工业电源和电机驱动器。此外，该器件具备快速开关能力，可以减少开关损耗并提高系统的响应速度。该MOSFET还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作条件下长时间运行。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB（印刷电路板）上安装和连接。该器件符合RoHS环保标准，适用于现代电子设备的设计要求。
在电气特性方面，HGTP15N120C3的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其能够与多种控制电路兼容。漏极电流为15A，适用于中高功率应用。其导通电阻最大为1.2Ω，确保在高负载条件下仍能保持较低的功耗。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适合在极端温度环境下使用。
HGTP15N120C3广泛应用于多种电力电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、电机控制驱动器、工业自动化设备、照明系统（如LED驱动器）、家电控制电路以及电动汽车充电系统。其高电压和中等电流特性使其成为需要高可靠性和高效能的电力电子转换系统的理想选择。例如，在开关电源中，该MOSFET可用于主开关器件，以实现高效率的能量转换；在电机控制应用中，它可用于PWM（脉宽调制）控制，以调节电机的速度和扭矩。
STP15N120C3, IRGPC15B, FGA15N120ANTD
