时间：2025/12/29 15:00:57
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HGTP14N40F3VL是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用先进的平面工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的效率，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、逆变器以及各种功率电子设备中。HGTP14N40F3VL的封装形式为TO-220-3，具备良好的热性能和机械稳定性，能够承受较高的工作温度。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：400V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：典型值0.25Ω（Vgs=10V）
功耗(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220-3
HGTP14N40F3VL具有多项优异的电气和热性能。其低导通电阻确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统整体效率。该器件的最大漏源电压为400V，使其适用于中高功率的开关电源和逆变器设计。此外，该MOSFET具备较高的栅极电压耐受能力（±20V），增强了在不同驱动条件下的稳定性和可靠性。
TO-220-3封装形式不仅提供了良好的散热性能，还确保了在高温环境下的正常工作。HGTP14N40F3VL采用了先进的平面工艺技术，提高了器件的耐用性和抗过载能力。此外，该MOSFET的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的动态响应能力，适用于高频开关应用。在实际应用中，该器件具有较强的抗干扰能力和较长的使用寿命，适用于工业控制、家用电器、汽车电子等多种领域。
HGTP14N40F3VL适用于多种高电压、高电流的功率电子应用。它常用于开关电源（SMPS）中的主开关器件，以提高转换效率并减少发热。此外，该MOSFET也广泛应用于DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机控制电路、逆变器和LED照明驱动电路。在工业自动化和电机驱动系统中，HGTP14N40F3VL可用于控制电机的启停和调速，提供稳定可靠的功率输出。由于其良好的热稳定性和抗过载能力，该器件也适合用于需要长时间高负载运行的设备，如电动工具、电焊机和变频器等。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，HGTP14N40F3VL也可作为关键的功率开关元件。
IRF740、STP14N40Z、FQA14N40、FGP14N40
