时间：2025/8/25 7:00:23
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HGTP12N60B3是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高电压、高电流功率MOSFET晶体管，采用先进的沟槽栅场截止（Field-Stop Trench）技术，具备低导通损耗和开关损耗的特性，适用于高效率的功率转换应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：12A
最大工作温度：150°C
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.45Ω
栅极电荷（Qg）：典型值34nC
封装形式：TO-220-3
HGTP12N60B3采用了先进的沟槽栅场截止技术，提供了优异的导通和开关性能，使得该器件在高频开关应用中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作。
器件内置快速恢复二极管，有助于减少反向恢复损耗，并提升在整流和逆变电路中的可靠性。该器件的封装设计提供了良好的散热能力，适用于需要高功率密度的设计场景。同时，其坚固的结构设计和较高的短路耐受能力，使其在电机控制、电源转换和工业自动化等领域中具有广泛的应用前景。
HGTP12N60B3主要应用于高效能的电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动器、变频器以及不间断电源（UPS）等。由于其在高频下的优良性能，也常用于逆变器拓扑结构，如DC-AC转换器和太阳能逆变系统中。此外，该MOSFET还适用于电动汽车（EV）充电设备、工业自动化控制及高功率LED照明驱动等应用场景。
FGA12N60SMD、FGL12N60S、FQP12N60C
