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IS46DR16320D-25DBLA2 发布时间 时间:2025/9/1 9:14:02 查看 阅读:8

IS46DR16320D-25DBLA2 是由Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的一款高速CMOS异步静态随机存取存储器(SRAM)。该SRAM芯片具有16位数据总线和320Kb的存储容量,采用高性能的CMOS技术制造,以确保低功耗与高速访问特性。该芯片广泛应用于需要高可靠性和高性能的通信设备、工业控制设备、网络设备和消费类电子产品中。

参数

容量:320Kb
  组织结构:16384 x 16位
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:25ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C(工业级)
  封装类型:54引脚塑料TSOP(Thin Small Outline Package)
  封装尺寸:54-TSOP
  数据总线宽度:16位
  封装材料:塑料
  封装引脚数量:54
  最大读取电流:180mA(典型值)
  最大待机电流:10mA

特性

IS46DR16320D-25DBLA2 SRAM芯片具备多项优良特性,适用于广泛的高性能应用领域。其核心特性包括:高速访问时间(25ns),使其适用于对响应时间要求严格的系统;宽电压范围(2.3V至3.6V)提供了良好的兼容性,适用于多种电源管理系统;低功耗设计,特别适合对功耗敏感的应用场景,如便携式设备和电池供电系统;工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保其在极端环境下的稳定运行;采用CMOS技术,不仅提高了抗干扰能力,还降低了静态功耗,提升了整体能效。此外,该芯片具有优异的抗静电能力和可靠性,适用于要求高稳定性和长寿命的工业和通信设备。
  该SRAM芯片的54-TSOP封装形式具有较小的体积和良好的散热性能,适用于空间受限的高密度PCB设计。同时,其16位并行数据总线支持快速的数据吞吐能力,适合需要高速缓存和数据缓冲的应用场景。芯片内置地址和数据锁存器,简化了与主控芯片的接口设计,降低了系统设计的复杂度。IS46DR16320D-25DBLA2 的异步控制信号支持多种时序模式,提供灵活的接口配置选项,满足不同系统设计需求。

应用

IS46DR16320D-25DBLA2 SRAM芯片凭借其高性能和低功耗特性,被广泛应用于多个领域。在通信设备中,该芯片常用于路由器、交换机和基站模块中的数据缓存和临时存储。在工业控制领域,它可用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)设备以及工业自动化系统的数据存储单元。此外,该芯片也适用于消费类电子产品,如智能家电、数字视频设备和便携式电子设备中的高速缓存系统。在汽车电子系统中,该SRAM可用于车载导航、ADAS(高级驾驶辅助系统)的数据缓冲模块。由于其工业级温度范围和高可靠性,IS46DR16320D-25DBLA2 也广泛用于航空航天、国防和测试测量设备中的关键数据存储模块。

替代型号

IS46DR16320B-25DBLF2, IS46DR16320C-25DBLF2, CY62167DV30BLL-25ZSXI, IDT71V1216SA25PFG

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IS46DR16320D-25DBLA2参数

  • 现有数量0现货
  • 价格209 : ¥67.58368托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)