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HGTP10N50F1D 发布时间 时间:2025/8/25 6:32:53 查看 阅读:15

HGTP10N50F1D是一款高性能的N沟道功率MOSFET,由ON Semiconductor(安森美半导体)制造。该器件专为高电压和高电流应用设计,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和开关电源等领域。HGTP10N50F1D采用先进的非穿通(Non-Punch Through)技术,具备低导通电阻、高击穿电压和优异的热稳定性,能够提供高效的功率转换性能。其封装形式为TO-220-3,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):500V
  连续漏极电流(Id):10A(Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):0.58Ω(最大值,Vgs=10V)
  栅极-源极电压(Vgs):±30V
  功耗(Pd):125W
  工作温度范围:-55℃~150℃
  封装类型:TO-220-3

特性

HGTP10N50F1D具有多项优异的电气和热性能。首先,其最大漏极-源极电压为500V,使其适用于高电压开关应用,确保在高压环境下的稳定运行。其次,导通电阻Rds(on)最大为0.58Ω,在Vgs=10V时可实现较低的导通损耗,提高系统能效。此外,该器件的连续漏极电流为10A,在适当的散热条件下可支持较高的功率负载。
  HGTP10N50F1D采用了先进的非穿通技术,有效减少了短路和热失控的风险,提升了器件的可靠性和耐久性。其栅极-源极电压范围为±30V,具有较强的抗过压能力,防止栅极氧化层损坏。该MOSFET的功耗为125W,结合TO-220-3封装的良好散热性能,能够在较高温度下稳定工作。
  该器件的工作温度范围为-55℃至150℃,适应多种恶劣环境,广泛应用于工业设备和电源系统。同时,其内部体二极管具有快速恢复特性,有助于提高电路的效率并减少开关损耗。

应用

HGTP10N50F1D适用于多种功率电子系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器、照明系统和工业控制设备。在开关电源中,该MOSFET可用于主开关或同步整流器,提高电源转换效率。在电机控制应用中,其高电压和高电流能力使其能够驱动大功率直流电机。此外,该器件还可用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等可再生能源系统中,提供高效的功率开关解决方案。

替代型号

STP10NM50N, FQP10N50C, IRFP460, FDPF10N50

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