时间：2025/8/25 6:32:53
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HGTP10N50F1D是一款高性能的N沟道功率MOSFET，由ON Semiconductor（安森美半导体）制造。该器件专为高电压和高电流应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和开关电源等领域。HGTP10N50F1D采用先进的非穿通（Non-Punch Through）技术，具备低导通电阻、高击穿电压和优异的热稳定性，能够提供高效的功率转换性能。其封装形式为TO-220-3，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：500V
连续漏极电流(Id)：10A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：0.58Ω（最大值，Vgs=10V）
栅极-源极电压(Vgs)：±30V
功耗(Pd)：125W
工作温度范围：-55℃~150℃
封装类型：TO-220-3
HGTP10N50F1D具有多项优异的电气和热性能。首先，其最大漏极-源极电压为500V，使其适用于高电压开关应用，确保在高压环境下的稳定运行。其次，导通电阻Rds(on)最大为0.58Ω，在Vgs=10V时可实现较低的导通损耗，提高系统能效。此外，该器件的连续漏极电流为10A，在适当的散热条件下可支持较高的功率负载。
HGTP10N50F1D采用了先进的非穿通技术，有效减少了短路和热失控的风险，提升了器件的可靠性和耐久性。其栅极-源极电压范围为±30V，具有较强的抗过压能力，防止栅极氧化层损坏。该MOSFET的功耗为125W，结合TO-220-3封装的良好散热性能，能够在较高温度下稳定工作。
该器件的工作温度范围为-55℃至150℃，适应多种恶劣环境，广泛应用于工业设备和电源系统。同时，其内部体二极管具有快速恢复特性，有助于提高电路的效率并减少开关损耗。
HGTP10N50F1D适用于多种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器、照明系统和工业控制设备。在开关电源中，该MOSFET可用于主开关或同步整流器，提高电源转换效率。在电机控制应用中，其高电压和高电流能力使其能够驱动大功率直流电机。此外，该器件还可用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等可再生能源系统中，提供高效的功率开关解决方案。
STP10NM50N, FQP10N50C, IRFP460, FDPF10N50
