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HGTP10N50C1D 发布时间 时间:2025/8/25 7:02:57 查看 阅读:15

HGTP10N50C1D是一款由ON Semiconductor生产的高电压、高电流MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种高功率应用。该器件采用TO-247封装,具备良好的热性能和高可靠性。该MOSFET的最大漏极-源极电压(Vds)为500V,最大连续漏极电流(Id)为10A,适用于需要高效能和稳定性的工业级应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极-源极电压(Vds):500V
  最大栅极-源极电压(Vgs):±30V
  最大连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.54Ω
  功率耗散(Ptot):200W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247

特性

HGTP10N50C1D MOSFET具有多个关键特性,使其在高压功率应用中表现出色。首先,其高击穿电压(500V)确保了在高压环境下的稳定运行,适用于电源转换器、马达控制和开关电源等应用。其次,该器件的导通电阻较低(典型值为0.54Ω),有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,其高功率耗散能力(200W)使其能够承受较高的热负荷,确保在恶劣工作条件下的可靠性。
  该器件采用先进的平面工艺制造,确保了稳定的电气性能和良好的热管理。TO-247封装设计不仅提供了优良的散热性能,还便于安装在散热器上,从而进一步提高热效率。此外,HGTP10N50C1D具有良好的短路耐受能力,能够在瞬态过载情况下保持稳定运行,避免损坏并延长系统寿命。
  另一个显著的优点是其高栅极阈值电压(Vgs(th)),通常在2V至4V之间,这使其在标准逻辑电平驱动条件下也能可靠地工作。这使得它能够与常见的PWM控制器和微处理器直接接口,无需额外的栅极驱动电路,简化了设计并降低了系统成本。此外,其快速开关特性减少了开关损耗,提高了整体能效,特别适用于高频开关应用。

应用

HGTP10N50C1D MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中。其最常见的用途包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器、UPS系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压和良好的导通性能,它也常用于照明控制、电池充电器以及太阳能逆变器等新能源应用中。此外,该器件还可用于电源管理单元、电源监控系统以及工业电机控制电路中,为各种高功率负载提供高效、可靠的开关控制。

替代型号

STP10NM50ND, IRFP460, FQA10N50C, FDPF10N50

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