时间：2025/8/25 7:02:57
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HGTP10N50C1D是一款由ON Semiconductor生产的高电压、高电流MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种高功率应用。该器件采用TO-247封装，具备良好的热性能和高可靠性。该MOSFET的最大漏极-源极电压（Vds）为500V，最大连续漏极电流（Id）为10A，适用于需要高效能和稳定性的工业级应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极-源极电压（Vds）：500V
最大栅极-源极电压（Vgs）：±30V
最大连续漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.54Ω
功率耗散（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
HGTP10N50C1D MOSFET具有多个关键特性，使其在高压功率应用中表现出色。首先，其高击穿电压（500V）确保了在高压环境下的稳定运行，适用于电源转换器、马达控制和开关电源等应用。其次，该器件的导通电阻较低（典型值为0.54Ω），有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，其高功率耗散能力（200W）使其能够承受较高的热负荷，确保在恶劣工作条件下的可靠性。
该器件采用先进的平面工艺制造，确保了稳定的电气性能和良好的热管理。TO-247封装设计不仅提供了优良的散热性能，还便于安装在散热器上，从而进一步提高热效率。此外，HGTP10N50C1D具有良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载情况下保持稳定运行，避免损坏并延长系统寿命。
另一个显著的优点是其高栅极阈值电压（Vgs(th)），通常在2V至4V之间，这使其在标准逻辑电平驱动条件下也能可靠地工作。这使得它能够与常见的PWM控制器和微处理器直接接口，无需额外的栅极驱动电路，简化了设计并降低了系统成本。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体能效，特别适用于高频开关应用。
HGTP10N50C1D MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中。其最常见的用途包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器、UPS系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压和良好的导通性能，它也常用于照明控制、电池充电器以及太阳能逆变器等新能源应用中。此外，该器件还可用于电源管理单元、电源监控系统以及工业电机控制电路中，为各种高功率负载提供高效、可靠的开关控制。
STP10NM50ND, IRFP460, FQA10N50C, FDPF10N50
