AON7200是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和快速开关性能,适用于多种功率转换和负载切换应用。
其封装形式为SOT-23-3L,非常适合空间受限的设计。AON7200在便携式设备、消费电子以及计算机外设中被广泛使用。
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±8V
连续漏极电流(ID):1.5A
导通电阻(RDS(on)):140mΩ(在VGS=4.5V时)
栅极电荷(Qg):6nC
总功耗(Ptot):380mW
工作温度范围(Tamb):-55℃ to +150℃
AON7200具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻RDS(on。
2. 小巧的SOT-23封装,适合高密度设计。
3. 快速开关能力,能够支持高频操作,降低开关损耗。
4. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
AON7200适用于以下应用场景:
1. 电源管理中的负载开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流开关。
3. 消费类电子产品的电池保护电路。
4. 计算机及外设中的过流保护。
5. 手机和平板电脑等便携式设备中的电源控制模块。
AON7201,AO3401A,AO3400A