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AON7200 发布时间 时间:2025/6/14 10:53:32 查看 阅读:4

AON7200是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和快速开关性能,适用于多种功率转换和负载切换应用。
  其封装形式为SOT-23-3L,非常适合空间受限的设计。AON7200在便携式设备、消费电子以及计算机外设中被广泛使用。

参数

最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±8V
  连续漏极电流(ID):1.5A
  导通电阻(RDS(on)):140mΩ(在VGS=4.5V时)
  栅极电荷(Qg):6nC
  总功耗(Ptot):380mW
  工作温度范围(Tamb):-55℃ to +150℃

特性

AON7200具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻RDS(on。
  2. 小巧的SOT-23封装,适合高密度设计。
  3. 快速开关能力,能够支持高频操作,降低开关损耗。
  4. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

AON7200适用于以下应用场景:
  1. 电源管理中的负载开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流开关。
  3. 消费类电子产品的电池保护电路。
  4. 计算机及外设中的过流保护。
  5. 手机和平板电脑等便携式设备中的电源控制模块。

替代型号

AON7201,AO3401A,AO3400A

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AON7200参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(3x3)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1374-6