时间：2025/8/25 1:54:01
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HGTH20N40E1是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换应用而设计，具备高电流承载能力和低导通电阻的特点。其400V的漏源电压（Vds）和高达20A的漏极电流（Id）使其适用于多种高功率需求的场合。HGTH20N40E1采用TO-247封装，适用于高功率开关应用，例如DC-DC转换器、功率因数校正（PFC）电路和电机控制电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：400V
漏极电流（Id）：20A（最大）
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.18Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
HGTH20N40E1具有低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，从而提高了系统的可靠性和寿命。其高栅极电荷特性允许更长的导通时间，适用于需要较高开关频率的应用场景。同时，该MOSFET具备较强的雪崩能量承受能力，能在瞬态过压情况下提供一定程度的保护。HGTH20N40E1还具有快速开关速度和低反向恢复电荷，有助于减少开关损耗并提升动态性能。此外，TO-247封装提供了良好的散热能力，确保在高功率应用中保持较低的结温。
HGTH20N40E1广泛应用于各类电源转换系统，如AC-DC电源、DC-DC转换器、功率因数校正（PFC）模块以及电机驱动器。在工业自动化和电机控制中，该MOSFET可以作为高功率开关使用，实现高效能的能量转换。此外，它也适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机和高频电源等高要求的电力电子设备。
STP20N40, IRF200P04S, FQP20N40
