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HGTH20N40E1 发布时间 时间:2025/8/25 1:54:01 查看 阅读:14

HGTH20N40E1是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换应用而设计,具备高电流承载能力和低导通电阻的特点。其400V的漏源电压(Vds)和高达20A的漏极电流(Id)使其适用于多种高功率需求的场合。HGTH20N40E1采用TO-247封装,适用于高功率开关应用,例如DC-DC转换器、功率因数校正(PFC)电路和电机控制电路。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):400V
  漏极电流(Id):20A(最大)
  栅源电压(Vgs):±30V
  导通电阻(Rds(on)):典型值0.18Ω
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-247

特性

HGTH20N40E1具有低导通电阻,这有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。此外,该器件具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,从而提高了系统的可靠性和寿命。其高栅极电荷特性允许更长的导通时间,适用于需要较高开关频率的应用场景。同时,该MOSFET具备较强的雪崩能量承受能力,能在瞬态过压情况下提供一定程度的保护。HGTH20N40E1还具有快速开关速度和低反向恢复电荷,有助于减少开关损耗并提升动态性能。此外,TO-247封装提供了良好的散热能力,确保在高功率应用中保持较低的结温。

应用

HGTH20N40E1广泛应用于各类电源转换系统,如AC-DC电源、DC-DC转换器、功率因数校正(PFC)模块以及电机驱动器。在工业自动化和电机控制中,该MOSFET可以作为高功率开关使用,实现高效能的能量转换。此外,它也适用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电焊机和高频电源等高要求的电力电子设备。

替代型号

STP20N40, IRF200P04S, FQP20N40

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