时间：2025/8/25 6:09:09
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HGTH12N50E1是一款高压高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）生产。这款MOSFET适用于高电压和高电流的应用场景，如电源转换器、电机控制、DC-DC转换器和工业自动化设备。该器件采用TO-247封装，具有良好的热性能和电气性能，适合用于需要高可靠性和稳定性的电路设计中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：12A
最大功耗（PD）：62W
栅极阈值电压（VGS(th)）：3V ~ 5V
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-247
HGTH12N50E1 MOSFET具有多个关键特性，使其在高电压和高功率应用中表现出色。首先，它的高漏源电压能力（500V）使其能够适应高压电源转换应用，如开关电源（SMPS）和逆变器系统。其次，该器件的最大漏极电流为12A，结合较低的导通电阻（RDS(on)）0.45Ω，使其在导通状态下的功率损耗较低，从而提高整体系统的效率。
此外，HGTH12N50E1采用了先进的沟槽栅极技术，提供了更佳的开关性能和热稳定性。这不仅有助于降低开关损耗，还能在高温环境下保持稳定的性能。其TO-247封装设计有助于快速散热，提高器件在高负载条件下的可靠性。
该MOSFET的栅极阈值电压范围为3V至5V，使其能够与常见的控制电路（如微控制器或PWM控制器）兼容，从而简化了驱动电路的设计。同时，该器件具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击，避免因瞬态故障导致的损坏。
在可靠性方面，HGTH12N50E1通过了严格的工业标准测试，确保其在各种工作环境下的稳定性和长寿命。它具备较高的抗静电能力和过温保护特性，适合用于工业级和消费类电子设备。
HGTH12N50E1广泛应用于多个高功率电子系统中。在电源管理领域，它是开关电源（SMPS）中的理想选择，能够有效提升电源转换效率并降低损耗。此外，该MOSFET可用于DC-DC转换器，特别是在需要高电压输入的场合，如太阳能逆变器、电动车充电器等。
在工业控制方面，HGTH12N50E1常用于电机驱动器和变频器系统，其高电流和高压能力使其能够处理大功率负载。它也可用于UPS（不间断电源）系统中，确保在主电源故障时能够快速切换至备用电源，提供稳定的电力输出。
在消费电子领域，该器件适用于高功率LED照明系统、电焊机和电动工具等应用。它在这些应用中能够提供稳定的开关控制，并确保系统的高效运行。
此外，HGTH12N50E1还可用于电动汽车充电设备、智能电网系统和储能系统等新兴应用领域，满足高功率密度和高可靠性的设计需求。
STP12N50M5, IRFP460LC, FQA12N50C, TK12A50D
