时间：2025/8/25 6:24:58
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HGTH12N50C1是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高电压的开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种工业和消费类电子设备中的功率控制电路。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：12A
脉冲漏极电流（Idm）：48A
导通电阻（Rds(on)）：最大0.45Ω（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220、TO-247等
功率耗散（Pd）：150W
HGTH12N50C1具备多项优良的电气和热性能，确保其在高功率环境下稳定运行。其导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该MOSFET的漏源耐压高达500V，适用于中高功率开关电源和逆变器系统。此外，其栅极驱动电压范围宽广，支持标准逻辑电平控制，兼容多种驱动电路设计。
该器件采用先进的平面工艺制造，具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持可靠运行。封装形式上，TO-220和TO-247封装具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。同时，HGTH12N50C1内置体二极管，适用于需要快速恢复的电路，如电机驱动和DC-DC转换器中的续流回路。
此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，在瞬态过压情况下能提供一定的保护作用。这使得它在工业控制、电源适配器、LED驱动器以及太阳能逆变器等应用中表现出色。
HGTH12N50C1广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高耐压和中等电流能力的场合。其主要应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机控制模块、LED照明驱动电路、UPS不间断电源系统、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制部分。该器件也常用于逆变器拓扑结构中，如半桥或全桥电路，实现高效的能量转换。
STP12N50M5、IRFZ44N、FQA12N50C、K2543、IXFH12N50Q
