时间：2025/5/20 15:46:07
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HGTG30N60B3是一款由Infineon（英飞凌）生产的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于TRENCHSTOP? IGBT技术系列，主要应用于需要高电压、低导通电阻和快速开关性能的场景。HGTG30N60B3采用TO-247封装形式，具有良好的热性能和电气特性，适合于工业、汽车及能源领域的各种应用。
最大漏源电压Vds：600V
连续漏极电流Id：30A
栅极阈值电压Vgs(th)：4V
导通电阻Rds(on)：150mΩ（在典型条件下）
功耗Ptot：18W
结温范围Tj：-55℃ to +150℃
HGTG30N60B3具备出色的耐压能力，可以承受高达600V的工作电压，确保在高电压环境下稳定运行。
其低导通电阻（Rds(on)）能够减少功率损耗，并提升效率。
此外，该器件拥有快速开关速度，可有效降低开关损耗并支持高频操作。
HGTG30N60B3还具备优秀的热稳定性，能够在高温条件下长时间工作，同时具备强大的短路耐受能力，提高了系统的可靠性和安全性。
由于采用了先进的TRENCHSTOP?技术，这款MOSFET实现了更小的芯片面积和更高的功率密度。
HGTG30N60B3广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 工业电源和电机驱动系统，例如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等。
2. 电动汽车中的车载充电器、DC-DC转换器和牵引逆变器。
3. 开关模式电源（SMPS）和PFC（功率因数校正）电路。
4. 高效照明设备，如LED驱动器和荧光灯电子镇流器。
总之，HGTG30N60B3适用于任何需要高效功率转换和控制的应用场景。
FGH30N60SMD,
IXFH30N60P3,
STP30NF60,
IRFP460,
FDP15U60AE
