时间：2025/7/12 7:54:14
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302R29N180JV3E-****-SC 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高电压、大电流场景下的开关和功率转换。该芯片采用了先进的硅工艺技术，具备低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，广泛适用于工业控制、电源管理以及新能源领域。
其设计着重优化了电气性能和热稳定性，能够承受高达 1800V 的阻断电压，并具有较低的栅极电荷，从而提升了整体效率和系统响应速度。
类型：MOSFET
封装形式：DPAK
最大漏源电压（Vds）：1800V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：29A
导通电阻（Rds(on)）：0.03Ω
栅极电荷（Qg）：55nC
总电容（Ciss）：4500pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
该芯片具备卓越的电气性能和热管理能力。具体特性如下：
1. 高耐压能力，可承受高达 1800V 的漏源电压，适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在大电流运行时显著降低功率损耗。
3. 快速开关特性，得益于较小的栅极电荷（Qg），可减少开关损耗。
4. 具备优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。
5. 内置 ESD 保护功能，增强芯片的抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
302R29N180JV3E-****-SC 主要应用于以下领域：
1. 工业设备中的电源模块，例如 UPS 系统和逆变器。
2. 新能源汽车中的电机驱动控制器。
3. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统的功率转换。
4. 高压 DC-DC 转换器，用于通信基站和服务器电源。
5. 各类高频开关电源及脉宽调制（PWM）电路。
6. 电动工具和其他需要高效功率管理的消费类电子产品。
302R28N1700, 300, IRG4PC30KD
