时间：2025/7/8 20:32:58
阅读：16
GA355ER7GB333KW01L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率电源转换和电机驱动应用设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、快速开关速度以及高耐压能力，适用于工业控制、消费电子及汽车电子领域。
型号：GA355ER7GB333KW01L
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：700V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω（在典型工作条件下）
功耗(Ptot)：280W
结温范围：-55℃至+150℃
GA355ER7GB333KW01L 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压，能够承受高达 700V 的漏源电压，适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻，减少功率损耗，提升整体系统效率。
3. 快速开关性能，支持高频操作，满足现代高效电源设计需求。
4. 内置过热保护机制，增强可靠性并延长使用寿命。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到各类绿色设计中。
6. 紧凑封装设计，节省 PCB 布局空间。
此芯片广泛应用于多个领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器，提供高效的电压调节功能。
2. 电机驱动电路，用于家电、电动工具和其他小型电机控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. LED 驱动器，为大功率 LED 提供稳定电流输出。
IRF840,
FDP5700,
STP16NF70,
IXTH16N70P3
