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GA355ER7GB333KW01L 发布时间 时间:2025/7/8 20:32:58 查看 阅读:9

GA355ER7GB333KW01L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率电源转换和电机驱动应用设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、快速开关速度以及高耐压能力,适用于工业控制、消费电子及汽车电子领域。

参数

型号:GA355ER7GB333KW01L
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):700V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):16A
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω(在典型工作条件下)
  功耗(Ptot):280W
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

GA355ER7GB333KW01L 具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压,能够承受高达 700V 的漏源电压,适合高压环境下的应用。
  2. 极低的导通电阻,减少功率损耗,提升整体系统效率。
  3. 快速开关性能,支持高频操作,满足现代高效电源设计需求。
  4. 内置过热保护机制,增强可靠性并延长使用寿命。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到各类绿色设计中。
  6. 紧凑封装设计,节省 PCB 布局空间。

应用

此芯片广泛应用于多个领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,提供高效的电压调节功能。
  2. 电机驱动电路,用于家电、电动工具和其他小型电机控制。
  3. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. LED 驱动器,为大功率 LED 提供稳定电流输出。

替代型号

IRF840,
  FDP5700,
  STP16NF70,
  IXTH16N70P3

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GA355ER7GB333KW01L参数

  • 制造商Murata
  • 电容0.033 uF
  • 容差10 %
  • 电压额定值250 VoltsAC
  • 温度系数/代码X7R
  • 外壳代码 - in2220
  • 外壳代码 - mm5750
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 封装Reel
  • Capacitance - nF33 nF
  • Capacitance - pF33000 pF
  • 尺寸5 mm W x 5.7 mm L x 2.5 mm H
  • 封装 / 箱体2220 (5750 metric)
  • 系列GA3
  • 工厂包装数量500