类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：30A
　　最大漏源电压：600V
　　导通电阻Rds(on)：典型值0.23Ω
　　栅极电压范围：±30V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散：200W

HGTG30N60A4具有多项优良特性，确保其在高压和高功率应用中的可靠性与效率。其导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统能效。此外，该器件采用了先进的非穿通技术，在高电压条件下表现出色，有效防止了穿通效应的发生，提高了器件的稳定性。其高耐压能力（600V）使其适用于多种高电压转换电路，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器和PFC（功率因数校正）模块。
　　在热性能方面，HGTG30N60A4具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。其200W的功率耗散能力和良好的热阻设计，使得在大电流应用中不易过热，从而延长了器件的使用寿命。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±30V），允许灵活的驱动设计，适用于不同的控制电路。
　　该器件还具备出色的短路耐受能力，能够在极端条件下提供一定的保护作用，防止因瞬时故障导致的损坏。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。因此，HGTG30N60A4非常适合用于高频开关电源和高效率电源管理系统。

HGTG30N60A4广泛应用于各种高电压和高功率电子系统中。常见的应用包括AC-DC电源转换器、DC-DC降压或升压转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统。在PFC（功率因数校正）电路中，该器件可以有效提升系统的功率因数，降低谐波失真，提高能源利用率。由于其良好的热性能和高耐压能力，该MOSFET也常用于太阳能逆变器、电动车充电器和工业变频器等新能源和节能设备中。

STW34N60M2, FGL40N60SMD, IRGP4063, FQA30N60