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VNV20N0713TR 发布时间 时间:2025/7/22 14:32:58 查看 阅读:6

VNV20N0713TR是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型功率MOSFET,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术,提供了出色的导通电阻与开关性能的平衡,适合用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和负载开关等场景。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):70V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):20A(Tamb=25°C)
  功耗(Ptot):62W
  导通电阻(Rds(on)):最大7.1mΩ(Vgs=10V,Id=10A)
  阈值电压(Vgs(th)):典型值2.9V(范围2.0V至4.0V)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

VNV20N0713TR的主要特性包括低导通电阻,使得在高电流条件下能够最小化功率损耗,提高整体效率。此外,该器件具备优异的热稳定性与可靠性,能够在高温环境下稳定工作。其沟槽栅极设计优化了开关性能,减少了开关损耗,适用于高频开关应用。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力,能够在极端条件下提供保护。此外,其紧凑的TO-252封装形式有助于节省PCB空间并简化散热设计。

应用

VNV20N0713TR广泛应用于各类电源管理系统中,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器、工业自动化设备以及汽车电子系统。由于其高可靠性和优异的电气性能,该器件也常用于要求严苛的汽车和工业应用中。

替代型号

IPD20N06S4-03, FDP20N07, STP20N07

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VNV20N0713TR参数

  • 其它有关文件VNV20N07 View All Specifications
  • 标准包装600
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列OMNIFET™
  • 类型低端
  • 输入类型非反相
  • 输出数1
  • 导通状态电阻50 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道-
  • 电流 - 峰值输出20A
  • 电源电压-
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 供应商设备封装PowerSO-10
  • 包装带卷 (TR)