VNV20N0713TR是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型功率MOSFET,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术,提供了出色的导通电阻与开关性能的平衡,适合用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和负载开关等场景。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):70V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):20A(Tamb=25°C)
功耗(Ptot):62W
导通电阻(Rds(on)):最大7.1mΩ(Vgs=10V,Id=10A)
阈值电压(Vgs(th)):典型值2.9V(范围2.0V至4.0V)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
VNV20N0713TR的主要特性包括低导通电阻,使得在高电流条件下能够最小化功率损耗,提高整体效率。此外,该器件具备优异的热稳定性与可靠性,能够在高温环境下稳定工作。其沟槽栅极设计优化了开关性能,减少了开关损耗,适用于高频开关应用。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力,能够在极端条件下提供保护。此外,其紧凑的TO-252封装形式有助于节省PCB空间并简化散热设计。
VNV20N0713TR广泛应用于各类电源管理系统中,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器、工业自动化设备以及汽车电子系统。由于其高可靠性和优异的电气性能,该器件也常用于要求严苛的汽车和工业应用中。
IPD20N06S4-03, FDP20N07, STP20N07