时间：2025/7/22 14:32:58
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VNV20N0713TR是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供了出色的导通电阻与开关性能的平衡，适合用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和负载开关等场景。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：70V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：20A（Tamb=25°C）
功耗（Ptot）：62W
导通电阻（Rds(on)）：最大7.1mΩ（Vgs=10V，Id=10A）
阈值电压（Vgs(th)）：典型值2.9V（范围2.0V至4.0V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
VNV20N0713TR的主要特性包括低导通电阻，使得在高电流条件下能够最小化功率损耗，提高整体效率。此外，该器件具备优异的热稳定性与可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其沟槽栅极设计优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，能够在极端条件下提供保护。此外，其紧凑的TO-252封装形式有助于节省PCB空间并简化散热设计。
VNV20N0713TR广泛应用于各类电源管理系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器、工业自动化设备以及汽车电子系统。由于其高可靠性和优异的电气性能，该器件也常用于要求严苛的汽车和工业应用中。
IPD20N06S4-03, FDP20N07, STP20N07
