时间：2025/8/25 5:40:28
阅读：10
HGTG20N120CN 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的高电压、高电流 IGBT（绝缘栅双极晶体管）器件，主要用于需要高效能功率转换的应用中。该器件具有20A的额定集电极电流和1200V的集电极-发射极击穿电压，适用于工业电机控制、电源转换、变频器和不间断电源（UPS）等应用场景。
额定集电极电流：20A
集电极-发射极击穿电压：1200V
栅极-发射极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
导通压降：约2.1V @ IC=20A
短路耐受能力：有
HGTG20N120CN 的核心特性包括其高电流承载能力和高电压阻断能力，使其适用于高功率密度设计。该IGBT器件采用了先进的沟槽栅和场阻断技术，以降低导通压降并提高开关性能。其短路耐受能力确保在异常条件下器件不会立即损坏，提高了系统的可靠性。
此外，HGTG20N120CN 具有良好的热稳定性，可以在高温环境下稳定工作。其TO-247封装形式便于安装散热片，有助于提高热管理效率。该器件的栅极驱动要求较低，可与标准驱动电路兼容，简化了驱动电路设计。
该IGBT还具有较低的尾电流特性，有助于减少开关损耗，提高整体能效。这些特性使其非常适合用于高频开关应用，如PWM变频器、DC-AC逆变器和功率因数校正电路。
HGTG20N120CN 被广泛应用于各种工业和电力电子系统中，包括但不限于电机驱动器、变频器、UPS系统、电焊机、感应加热设备和太阳能逆变器等。其高电压和高电流特性使其成为中高功率开关应用的理想选择。
FGA20N120ANTD、STGIPN1K20T、SGT40N120TD
