HGTD3N60C3S 时间：2025/12/29 14:30:25 阅读：11

HGTD3N60C3S是一款由东芝（Toshiba）推出的高电压、高电流功率MOSFET，采用了先进的U-MOS VI技术，具有低导通电阻和高可靠性。该器件主要用于高功率开关应用，例如电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种工业和汽车电子系统。HGTD3N60C3S采用TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和安装，适用于高效率、紧凑型设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大2.5Ω
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Pd）：80W
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：600V
　　栅极电荷（Qg）：约18nC
　　输入电容（Ciss）：约650pF

特性

HGTD3N60C3S的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高耐压能力（600V），能够承受较高的电压应力，适用于多种高电压应用环境。
　　采用U-MOS VI技术使得该MOSFET在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗，并提升了整体性能。其封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的热性能，能够有效散热，确保器件在高负载条件下稳定运行。
　　该MOSFET还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定，提高了系统的可靠性和耐久性。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。
　　在封装方面，TO-252（DPAK）封装便于安装在PCB上，并且具有良好的机械稳定性，适用于各种工业环境。该器件还具备较低的漏电流，有助于减少静态功耗，提高系统整体效率。

应用

HGTD3N60C3S广泛应用于各类高功率开关电路中，包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、充电器以及各种工业自动化和控制设备。由于其高耐压和低导通电阻特性，它特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）和车载逆变器等应用。此外，在可再生能源系统如太阳能逆变器中，HGTD3N60C3S也能发挥重要作用，提供高效的能量转换和稳定的性能。
　　在消费类电子产品中，该MOSFET也可用于高功率LED照明驱动、智能家电电源控制等场景。由于其封装形式便于焊接和散热管理，也适合用于紧凑型、高功率密度的电子产品设计中。