时间：2025/8/25 7:11:15
阅读：5
HGTD2N120CNS 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高电压、高频率 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），适用于要求高效率和高可靠性的电源转换系统。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势，非常适合用于开关电源、逆变器和电机控制等应用。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
最大集电极电流（IC）：2A（Tc=100℃）
最大栅极-发射极电压（VGE）：±20V
导通压降（VCE_sat）：约1.4V（典型值，IC=2A）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-220
短路耐受能力：有
功率耗散（Ptot）：30W
HGTD2N120CNS 是一款高性能的IGBT器件，具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其最大集电极-发射极电压（VCES）高达1200V，使其适用于高电压应用场景，如功率因数校正（PFC）、逆变器和直流-直流转换器。其次，该器件的最大集电极电流为2A，在高温度环境下仍能稳定工作，表现出良好的热稳定性。
该IGBT的导通压降（VCE_sat）典型值为1.4V，在高电流条件下仍能保持较低的功耗，从而提高整体系统的效率。同时，其栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准MOSFET驱动电路，简化了外围电路设计。此外，HGTD2N120CNS 具有较强的短路耐受能力，增强了在突发故障情况下的器件可靠性。
采用TO-220封装，HGTD2N120CNS 提供了良好的散热性能和机械强度，适合在多种工业和消费类电子设备中使用。其工作温度范围为-55℃至+150℃，适用于严苛的环境条件。
HGTD2N120CNS 主要应用于需要高电压、高频开关和高效能的电力电子系统。常见用途包括：
1. 开关电源（SMPS）：用于高电压输入的AC-DC转换电路中，提供高效率和紧凑的电源设计。
2. 逆变器系统：适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电机驱动逆变器，实现高效的直流到交流转换。
3. 电机控制：在工业自动化和家电中用于控制电机的速度和方向，特别是在需要高电压驱动的场合。
4. 功率因数校正（PFC）电路：用于提高电源系统的功率因数，减少无功功率损耗。
5. 直流-直流转换器：在电动汽车、储能系统和电池管理系统中实现高效的电压转换。
SGT2NB120K5S, FGA2N120TD, FGH20N120LSD, STGIP2N120K5T
