HGTA32N60E2 时间：2025/12/29 15:12:31 阅读：12

HGTA32N60E2是一款由东芝（Toshiba）制造的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换系统。该器件采用先进的U-MOS技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，能够在高电压和高电流环境下稳定运行。HGTA32N60E2广泛应用于电源供应器、DC-DC转换器、UPS系统、工业电机驱动以及高功率LED照明等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：32A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.21Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：70nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：200W

特性

HGTA32N60E2采用了东芝先进的U-MOS技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了能效。该器件具有较高的电流承载能力和优异的热稳定性，使其能够在严苛的工作环境下保持良好的性能。此外，该MOSFET具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高电源系统的整体效率。
　　该MOSFET的栅极设计优化了开关速度和驱动损耗之间的平衡，使其适用于高频开关应用。其高耐压能力（600V）确保其在高压系统中稳定运行，同时具备良好的抗雪崩能力，提升了器件的可靠性。
　　在封装方面，TO-247封装形式具有良好的散热性能，便于安装在散热器上，进一步提高其在高功率应用中的稳定性。该器件符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。

应用

HGTA32N60E2主要应用于高功率电源系统，如AC-DC电源适配器、服务器电源、工业电源设备、DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）系统。此外，该MOSFET也可用于高功率LED照明驱动、电机控制和太阳能逆变器等需要高效能功率开关的领域。
　　由于其高耐压和大电流能力，HGTA32N60E2特别适合用于需要高可靠性和高效率的工业和消费类电子产品中。例如，在服务器电源系统中，它可以作为主开关器件用于提高能效；在电机驱动系统中，可用于控制电机的启停和调速；在LED照明系统中，可作为功率级开关以实现高亮度调节精度。