时间：2025/7/29 11:52:38
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HGT1S7N60C3DS是一款由ON Semiconductor生产的高压、高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高电压和大电流特性的电子电路中，例如开关电源（SMPS）、逆变器、电动工具和工业电机控制等领域。该器件采用了先进的高压工艺技术，能够在高电压下保持优异的导通和开关性能。HGT1S7N60C3DS封装在TO-220封装中，具有良好的散热性能，适用于需要稳定性和可靠性的工业级应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压：600V
连续漏极电流：7A
脉冲漏极电流：28A
导通电阻（Rds(on)）：1.5Ω
最大功耗：40W
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极-源极电压：±30V
HGT1S7N60C3DS具有多项显著特性，首先是其高耐压能力，漏极-源极击穿电压为600V，使其适用于高电压应用环境。其次，它的连续漏极电流能力为7A，支持较大的负载电流，同时脉冲漏极电流可达到28A，具备短时间应对高电流需求的能力。
该MOSFET的导通电阻为1.5Ω，在同类器件中表现良好，有助于降低导通损耗，提高能效。此外，HGT1S7N60C3DS的最大功耗为40W，具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下运行。
这款器件的工作温度范围为-55°C至150°C，符合工业级温度标准，确保在各种环境条件下都能稳定工作。栅极-源极电压范围为±30V，提供了较强的抗过压能力，防止栅极电压异常导致器件损坏。
HGT1S7N60C3DS采用了TO-220封装形式，这种封装具有良好的散热性能，便于安装在散热片上，进一步提升其在高功率应用中的可靠性。
HGT1S7N60C3DS的应用领域广泛，尤其适用于高电压和高功率的电子系统。在开关电源（SMPS）中，它常用于功率因数校正（PFC）电路和主开关电路，以提高电源转换效率并降低能耗。在逆变器应用中，例如太阳能逆变器或UPS不间断电源系统，HGT1S7N60C3DS可以作为主功率开关器件，负责将直流电转换为交流电，提供稳定的电力输出。
该MOSFET也广泛应用于电动工具和工业电机控制中，例如用于驱动直流电机或步进电机，实现电机的高效控制和快速响应。此外，HGT1S7N60C3DS还可用于各种工业自动化设备中的电源管理模块，提供稳定可靠的开关性能。
在照明系统中，如LED驱动电源或高频荧光灯镇流器中，HGT1S7N60C3DS可用于实现高效率的电源转换，满足现代照明系统对能效和寿命的要求。其高耐压和大电流能力也使其适用于家电产品中的功率控制模块，例如微波炉、电磁炉等。
STP7NK60Z, FQP7N60, IRFBC40, 18N60C3
