时间：2025/8/25 2:36:32
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HGT1S14N36G3VL是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）公司制造。该器件属于高电压、高电流N沟道MOSFET，适用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用。该MOSFET采用先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优良的开关性能。其封装形式为TO-220，便于安装和散热管理。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：350V
最大漏极电流（Id）：14A
导通电阻（Rds(on)）：0.36Ω
栅极电荷（Qg）：50nC
输入电容（Ciss）：1300pF
最大工作温度：150℃
封装类型：TO-220
HGT1S14N36G3VL具有多个关键特性，使其适用于高要求的电力电子应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高整体能效。其次，该MOSFET的高耐压能力（350V）使其能够在高压环境下稳定运行。此外，其设计优化了开关性能，减少了开关损耗，从而降低了系统发热并提高了可靠性。该器件的TO-220封装提供了良好的热管理能力，适合高功率密度设计。最后，HGT1S14N36G3VL具备较高的耐用性和抗干扰能力，可适应复杂的工作环境，例如存在高电压尖峰和瞬态变化的场景。这些特性使得它成为电源转换器、DC-AC逆变器、电机控制和工业自动化设备的理想选择。
在设计方面，该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构，进一步提升了其导电性能并降低了开关损耗。同时，该器件具备较高的短路耐受能力，可以在一定程度上承受瞬时过载情况，从而提高系统的安全性和稳定性。其栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至15V之间，这使得其兼容多种常见的MOSFET驱动电路。此外，HGT1S14N36G3VL的制造工艺符合RoHS环保标准，符合现代电子设备对环保材料的要求。
HGT1S14N36G3VL广泛应用于多种电力电子系统，包括但不限于电源转换器、DC-AC逆变器、电机控制电路、工业自动化设备以及高功率LED照明系统。其优异的导通特性和高耐压能力使其成为高性能电源管理方案中的关键元件。此外，该MOSFET还可用于不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及电焊设备等需要高效能开关元件的场合。在消费电子和工业控制领域，该器件也被广泛用于PWM控制的功率级设计中。
TK14A50D, IRF840, STP15N35M5, FDP15N35T
