时间：2025/8/25 2:11:02
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HGT1S11N120CNS是一款由ON Semiconductor生产的高电压、高电流能力的N沟道功率MOSFET，适用于各种高效率电源转换应用。这款MOSFET设计用于在高电压条件下提供卓越的性能，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适合用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理以及工业自动化系统等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：11A
最大漏源电压（VDS）：1200V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.25Ω（最大）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
引脚数：3
HGT1S11N120CNS的主要特性之一是其高电压耐受能力，能够支持高达1200V的漏源电压，这使其适用于需要高电压隔离和稳定性的应用。此外，该器件具有较低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
另一个重要特性是其高电流承载能力，最大漏极电流为11A，使得该MOSFET适用于需要较高功率处理能力的场景。此外，HGT1S11N120CNS采用了先进的沟槽技术，提高了开关速度，从而降低了开关损耗，适合高频操作环境。
该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在恶劣的环境条件下保持稳定的性能。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，有助于延长器件的使用寿命并提高可靠性。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，使其适用于多种驱动电路设计。
HGT1S11N120CNS还具备较强的抗雪崩能力，能够在短时间承受过压或过流冲击而不损坏，提高了系统的整体鲁棒性。
HGT1S11N120CNS广泛应用于电源转换系统，如AC-DC电源、DC-DC转换器、太阳能逆变器、UPS不间断电源系统、电机控制电路以及工业自动化设备。此外，该器件也适用于高频电源和开关电源设计，能够在高电压环境下提供高效、稳定的功率转换性能。
HGT1S11N120CND, HGTG11N120CND, HGTG11N120BSD, STW11NM80
