FM120A 时间：2025/8/24 13:27:25 阅读：9

FM120A是一款常见的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于各类功率转换与开关电路中。该器件采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和导通特性，适用于中高功率应用。其设计注重高效率和可靠性，常用于电源管理、电机控制、开关电源（SMPS）以及DC-DC转换器等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：1200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：15A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（最大）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

FM120A具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，能够承受较高的漏源电压（最高1200V），适用于高电压应用场景。其TO-220封装形式有助于有效散热，提升器件在高功率下的可靠性。此外，FM120A具备较高的电流处理能力，在连续漏极电流下可达15A，短时脉冲电流甚至可达60A，适用于需要瞬态高电流的场合。
　　该MOSFET的栅极驱动特性较为温和，栅源电压范围为±20V，便于与常见的驱动电路兼容。其导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高整体效率。同时，FM120A具有良好的抗雪崩能力和短路耐受性，能够在恶劣工况下保持稳定工作，提升系统的整体可靠性。
　　由于其优异的性能和稳定的封装设计，FM120A在工业控制、电源设备、电机驱动、UPS系统以及各种开关电源应用中被广泛采用。