类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：80A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　最大功耗(Pd)：160W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-247

HGN080N10S MOSFET具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其次，该器件的高耐压能力（Vds=100V）使其能够承受较高的电压应力，适用于多种中高压功率转换应用。
　　此外，HGN080N10S采用了先进的沟槽式栅极结构技术，提供了优异的开关性能，从而在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗，提升了整体系统的动态响应能力。其高电流容量（80A）使其适用于高功率密度的设计，如工业电源、DC-DC转换器和电机驱动系统。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性和耐久性，能够在较高温度下稳定运行，增强了器件的可靠性。TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成，适用于高功率应用场景中的热管理需求。

HGN080N10S MOSFET主要应用于需要高效能功率管理的电子系统中，如工业电源、DC-DC转换器、电动车辆的电池管理系统（BMS）、电机驱动器、逆变器以及高功率LED照明系统。由于其高电流容量和低导通电阻特性，该器件特别适合用于高效率同步整流电路、负载开关和高侧/低侧开关应用。
　　在电动车辆领域，HGN080N10S可用于电机控制模块和车载充电器（OBC）中的功率转换部分。在工业自动化和控制系统中，该MOSFET可用于高精度伺服电机驱动和可编程逻辑控制器（PLC）的电源管理模块。此外，在通信设备和服务器电源系统中，HGN080N10S也常用于实现高效率的直流-直流转换电路。

TKA100N10K3, IPP080N10N3, IPW080N10N3