时间：2025/5/8 19:10:44
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HGK3FB681KA3BW(3KV681K) 是一种高性能的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛应用于电力电子设备中。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性，使其在高频开关和大电流处理方面表现优异。
此型号特别适用于需要高电压、大电流支持的场景，如变频器、逆变焊机、UPS 系统以及新能源领域中的电机驱动和太阳能逆变器等应用。
额定电压：3300V
额定电流：681A
集电极-发射极饱和电压：≤3.5V
门极阈值电压：10~15V
最大工作结温：-40°C ~ +150°C
热阻（结到壳）：0.012 K/W
开通时间：1.8μs
关断时间：1.2μs
存储温度范围：-55°C ~ +125°C
HGK3FB681KA3BW 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，适合高压工业环境下的运行需求。
2. 大电流承载能力，能够满足高功率应用场景的要求。
3. 优化的开关特性，减少开关损耗并提高效率。
4. 内置过流保护功能，增强了系统的可靠性和安全性。
5. 紧凑的设计结构，便于集成到各类电力电子装置中。
6. 支持快速开关频率，适应现代电力转换设备对动态响应速度的需求。
7. 良好的散热性能，保证长时间稳定工作。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 工业变频器 - 提供高效能量转换以实现电机转速调节。
2. 太阳能逆变器 - 将直流电转换为交流电用于并网发电。
3. 不间断电源 (UPS) - 在电网异常时提供持续稳定的电力供应。
4. 电动汽车牵引逆变器 - 控制电动车辆的电机驱动系统。
5. 焊接设备 - 实现高效且精确的焊接过程控制。
6. 高压直流输电 (HVDC) 系统 - 参与大功率电力传输网络。
3KB681KG, HGK3FB681KA2BW, FZ681R33KE3
