QM13112ASR是一款由Qorvo公司生产的射频功率晶体管,专为高功率射频放大器应用设计。该器件基于先进的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术制造,具有高效率、高增益和出色的热稳定性。QM13112ASR广泛应用于无线基础设施、广播系统、工业加热设备以及测试测量仪器中的射频功率放大环节。该晶体管封装在坚固的塑料封装中,便于散热和安装。
频率范围:DC-1.5 GHz
输出功率:1200W(典型值)
工作电压:28V
电流消耗:75A(最大)
增益:20dB(典型)
效率:>65%
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:塑料封装(HvP-9)
QM13112ASR具有多项先进的性能特点,首先,其采用LDMOS技术,能够在高频段保持高效率和高线性度,适用于各种高功率射频应用。其次,该器件支持高达1200W的输出功率,适合用于需要大功率放大的场景。此外,其较高的工作电压(28V)和大电流能力(最大75A)使其在高负载条件下仍能稳定运行。
另外,QM13112ASR具有良好的热管理和耐久性设计,能够在极端温度条件下正常工作,增强了系统的可靠性和寿命。该晶体管还具有高抗失真能力,有助于在通信系统中实现更清晰的信号传输和更低的误码率。
最后,该器件的封装设计优化了散热性能,使得在高功率运行时依然能保持较低的结温,提高了器件的热稳定性和长期工作的可靠性。
QM13112ASR主要应用于无线通信基础设施,如4G/5G基站、广播发射机和工业射频加热设备中的功率放大器模块。此外,它也适用于测试与测量设备、雷达系统以及各种需要高功率射频放大的工业和军事应用。在这些系统中,QM13112ASR能够提供高增益、高效率的信号放大,确保信号传输的稳定性和覆盖范围。
特别是在广播系统中,QM13112ASR可用于调幅(AM)或调频(FM)发射机的末级功率放大,满足高功率输出和长距离传输的需求。在工业领域,它可作为射频能量源,用于材料处理、等离子体生成和微波加热等应用。
QM13112A、QM12150ASR、MRF6VP21500HD、NXP BLF888B