HGM3AF103ZG3BW(1KV103Z)是一种高压MOSFET功率晶体管,属于沟槽式MOSFET技术产品系列。该型号设计用于高电压应用场合,提供卓越的开关性能和较低的导通电阻。这种器件在电源管理、逆变器、电机驱动以及开关电源等领域中表现出色。
其封装形式为TO-247,具有较高的电流承载能力和散热性能。由于其出色的电气特性,该型号被广泛应用于需要高效能和高可靠性的场景。
最大漏源电压:1000V
连续漏极电流:16A
导通电阻:0.25Ω
栅极电荷:50nC
开关速度:高速
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
HGM3AF103ZG3BW(1KV103Z)具备以下主要特性:
1. 高击穿电压,能够承受高达1000V的工作电压,适用于高压环境下的电路设计。
2. 低导通电阻,在高电流条件下减少功率损耗并提升效率。
3. 快速开关能力,确保在高频开关应用中的稳定表现。
4. 极低的输入和输出电容,进一步降低开关损耗。
5. 具有强大的雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
6. TO-247封装提供了良好的散热性能和机械稳定性,适合于功率密度要求较高的应用。
7. 广泛的工作温度范围,使其能够在极端环境下保持稳定的性能。
该型号的应用领域非常广泛,主要包括以下方面:
1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC转换器和DC-DC转换器。
2. 电机驱动控制,如工业自动化设备中的电机控制器。
3. 太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的车载充电器和牵引逆变器。
5. 各种类型的高压负载切换和保护电路。
6. 高效照明系统,例如LED路灯驱动电路。
HGM3AF103ZG3BW(1KV103Z)因其高压性能和高效节能的特点,在以上应用领域中得到了高度认可。
HGM3AF103ZG3AW, IRFP260N, STW83N10