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HGK3AF103ZG3BW(1KV103Z) 发布时间 时间:2025/6/9 15:13:49 查看 阅读:4

HGM3AF103ZG3BW(1KV103Z)是一种高压MOSFET功率晶体管,属于沟槽式MOSFET技术产品系列。该型号设计用于高电压应用场合,提供卓越的开关性能和较低的导通电阻。这种器件在电源管理、逆变器、电机驱动以及开关电源等领域中表现出色。
  其封装形式为TO-247,具有较高的电流承载能力和散热性能。由于其出色的电气特性,该型号被广泛应用于需要高效能和高可靠性的场景。

参数

最大漏源电压:1000V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:0.25Ω
  栅极电荷:50nC
  开关速度:高速
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247

特性

HGM3AF103ZG3BW(1KV103Z)具备以下主要特性:
  1. 高击穿电压,能够承受高达1000V的工作电压,适用于高压环境下的电路设计。
  2. 低导通电阻,在高电流条件下减少功率损耗并提升效率。
  3. 快速开关能力,确保在高频开关应用中的稳定表现。
  4. 极低的输入和输出电容,进一步降低开关损耗。
  5. 具有强大的雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  6. TO-247封装提供了良好的散热性能和机械稳定性,适合于功率密度要求较高的应用。
  7. 广泛的工作温度范围,使其能够在极端环境下保持稳定的性能。

应用

该型号的应用领域非常广泛,主要包括以下方面:
  1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC转换器和DC-DC转换器。
  2. 电机驱动控制,如工业自动化设备中的电机控制器。
  3. 太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。
  4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的车载充电器和牵引逆变器。
  5. 各种类型的高压负载切换和保护电路。
  6. 高效照明系统,例如LED路灯驱动电路。
  HGM3AF103ZG3BW(1KV103Z)因其高压性能和高效节能的特点,在以上应用领域中得到了高度认可。

替代型号

HGM3AF103ZG3AW, IRFP260N, STW83N10

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