IXTQ100N25 时间：2025/8/6 5:43:23 阅读：31

IXTQ100N25 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高电压应用。这款器件采用 TO-247 封装形式，具有良好的热稳定性和电气性能，适用于电源转换器、电机控制、逆变器等高功率电子系统。

参数

类型：MOSFET（N 沟道）
　　最大漏源电压（Vds）：250V
　　最大漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 0.026Ω
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTQ100N25 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下导通损耗显著降低，提高了整体系统的效率。
　　该器件具备良好的热稳定性，得益于其强大的散热能力和高功率耗散设计，能够在高负载条件下长时间稳定运行。
　　此外，IXTQ100N25 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其兼容多种驱动电路设计，适用于不同的应用场景。
　　该 MOSFET 还具备快速开关特性，适合用于高频开关电路，从而减少开关损耗并提高系统的响应速度。
　　由于其高耐压和大电流能力，IXTQ100N25 非常适合用于工业电源、直流电机控制、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等高功率设备。

应用

IXTQ100N25 MOSFET 主要用于需要高电流和高电压能力的功率电子系统中。典型应用包括电力电子变换器、马达驱动器、DC-AC 逆变器、电池充电系统以及工业自动化设备中的功率开关。
　　它还广泛应用于可再生能源系统，例如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率调节模块。
　　此外，该器件也适用于高功率开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）的设计，以提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
　　在电动汽车和储能系统中，IXTQ100N25 可用于高压电池管理系统中的功率控制单元，实现高效的能量管理。