时间：2025/12/28 16:01:36
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HGE120NE4SL 是一款由东芝（Toshiba）制造的高功率双极晶体管（BJT），主要用于高功率开关和放大应用。该器件采用了先进的硅技术，具备高耐压和大电流处理能力，适用于工业电源、马达控制和电力电子系统。
类型：NPN双极晶体管
最大集电极-发射极电压（Vce）：400V
最大集电极电流（Ic）：120A
最大功耗（Ptot）：300W
电流增益（hFE）：约5000（在特定工作点）
封装类型：TO-3P
HGE120NE4SL 具备出色的高电压和高电流承受能力，能够在严苛的工作环境下保持稳定性能。其高电流容量和低饱和压降（Vce_sat）使得器件在高功率应用中表现出色，同时减少了能量损耗。此外，该晶体管的热稳定性和可靠性较高，适合用于长时间运行的工业设备中。器件采用TO-3P封装，具有良好的散热性能，便于在高功率条件下进行热管理。其高增益特性使其适用于需要高电流放大能力的电路设计中。
该晶体管还具备较强的短路耐受能力，能够在短暂的过载条件下正常工作，提高了整体系统的可靠性。HGE120NE4SL 通常用于高频开关电路、功率放大器和直流电机控制器等应用场景。
HGE120NE4SL 主要应用于高功率电子设备，如工业电源、直流电机驱动器、功率放大器、开关电源以及各种需要高电流和高电压处理能力的电子控制系统。其高性能特性使其成为工业自动化、能源管理和电力电子设备中的理想选择。
HGE120N40C3STRL, HGE120N40C3S, HGE120N40C3
