类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：43A
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：7.4mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

HG62F43R74FL具备多项优良特性，适用于高性能电源转换应用。
　　首先，该MOSFET采用先进的沟槽式结构，使导通电阻更低，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。其典型导通电阻为7.4mΩ，在10V栅极驱动电压下能够提供优异的电流导通能力。
　　其次，该器件具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达43A，适用于大功率DC-DC转换器和负载开关等应用场景。同时，其漏源击穿电压为40V，适用于常见的低压功率系统，如48V总线系统或12V/24V工业电源。
　　此外，HG62F43R74FL的栅极驱动电压范围较宽，最高可达±20V，允许使用标准的MOSFET驱动器进行控制，提高了设计的灵活性。器件的热阻较低，封装形式为TO-263（D2PAK），有助于散热，从而在高功率密度设计中保持良好的热稳定性。
　　该MOSFET的封装形式适合表面贴装工艺，便于自动化生产，同时也有助于减小PCB尺寸，适用于紧凑型电源模块和适配器的设计。其高可靠性也使其在汽车电子、工业控制、通信设备等对稳定性要求较高的场合中得到了广泛应用。

HG62F43R74FL广泛应用于各类高效率电源转换系统中，包括但不限于以下领域：
　　在DC-DC转换器中，该器件可作为主开关或同步整流开关使用，显著提高转换效率并减少发热；在负载开关或电源管理模块中，它可用于高效控制高电流负载；在电源适配器和电源模块中，该MOSFET可作为主功率开关，提升整体功率密度和转换效率。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其优异的热性能和高电流能力，HG62F43R74FL在车载电子系统、LED驱动电源、服务器电源和通信电源等对可靠性要求较高的应用场景中也得到了广泛应用。

SiS6282, AON6262, IPB045N04LC, FDS6680